1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥132.58853 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥132.58853 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 209A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 556W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥50.79084 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,316.33440 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.64706 | 433 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64791 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 29W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥110.61357 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥110.61357 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.53022 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.53022 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 86A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMN 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥53.53952 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.53952 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.96287 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.96287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20.12078 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.12078 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta), 19A (Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETSH 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.74942 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.74942 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.86435 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak | ¥61.01419 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.01419 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.3A (Ta), 47A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥47.89006 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.89006 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.11109 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.11109 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 66W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥38.03971 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.03971 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta), 19A (Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETSH 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥111.42477 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥111.42477 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥24.16231 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.16231 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.78079 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.78079 | 添加到BOM 立即询价 | ||
LV POWER MOS | ¥3.21295 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,064.75000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 77A (Tc) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.47563 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.47563 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMZ 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥44.28309 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.28309 | 添加到BOM 立即询价 |