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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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FP15R12W1T4B3BOMA1
FP15R12W1T4B3BOMA1
LOW POWER EASY

¥168.46985

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合计: ¥1,516.22869

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BSM50GX120DN2BOSA1
BSM50GX120DN2BOSA1
IGBT MODULE 2 LOW PWR ECONO2-2

¥851.90990

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合计: ¥2,555.72969

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FF450R17ME4PB11BOSA1
FF450R17ME4PB11BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 供应商设备包装: Module

¥2,409.27826

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合计: ¥14,455.66954

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FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12 - IGBT MODULE

¥227.71026

1

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合计: ¥1,138.55129

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FF450R17ME4PBOSA1
FF450R17ME4PBOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 900 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module

¥2,409.27826

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合计: ¥14,455.66954

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FF450R06ME3BOSA1
FF450R06ME3BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 550 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: Module

¥1,343.99252

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5-7 工作日

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合计: ¥13,439.92524

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BSM75GD60DLCBOSA1
BSM75GD60DLCBOSA1
BSM75GD60DLC - IGBT MODULE

¥451.95696

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合计: ¥2,259.78480

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FP35R12KT4BOSA1
FP35R12KT4BOSA1
FP35R12 - IGBT MODULE

¥491.14105

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5-7 工作日

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合计: ¥1,964.56420

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FP150R12KT4B11BPSA1
FP150R12KT4B11BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 供应商设备包装: Module

¥1,622.84417

5

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合计: ¥3,245.68835

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FF100R12KS4HOSA1
FF100R12KS4HOSA1
MEDIUM POWER 62MM

¥548.79453

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5-7 工作日

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合计: ¥2,195.17813

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FF600R12ME4PBOSA1
FF600R12ME4PBOSA1
IGBT MODULE VCES 600V 600A

¥2,448.53477

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5-7 工作日

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合计: ¥14,691.20864

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BSM10GP120BOSA1
BSM10GP120BOSA1
LOW POWER ECONO

¥554.00942

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,216.03768

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FF600R12ME4PB11BOSA1
FF600R12ME4PB11BOSA1
IGBT MODULE VCES 600V 600A

¥2,448.53477

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,691.20864

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DDB6U180N16RRB11BPSA1
DDB6U180N16RRB11BPSA1
LOW POWER ECONO

¥609.41761

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5-7 工作日

- +

合计: ¥2,437.67042

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IFF600B12ME4B11BPSA1
IFF600B12ME4B11BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 600 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONOD-5

¥2,459.68884

0

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合计: ¥24,596.88840

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FZ400R12KE4HOSA1
FZ400R12KE4HOSA1
MEDIUM POWER 62MM

¥615.50164

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5-7 工作日

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合计: ¥2,462.00657

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FP75R12N2T4BPSA1
FP75R12N2T4BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONO2B

¥1,362.24463

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合计: ¥20,433.66948

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FS75R12KT4B15BOSA1
FS75R12KT4B15BOSA1
FS75R12 - IGBT MODULE

¥638.67892

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5-7 工作日

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合计: ¥1,277.35784

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FP50R12KT4B16BOSA1
FP50R12KT4B16BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 280瓦 供应商设备包装: Module

¥908.54938

9

5-7 工作日

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合计: ¥2,725.64813

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FP75R06KE3BOSA1
FP75R06KE3BOSA1
FP75R06 - IGBT MODULE

¥679.89102

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5-7 工作日

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合计: ¥2,719.56409

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