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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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FS150R12KT4BOSA1
FS150R12KT4BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 750 W 供应商设备包装: Module

¥1,793.48690

109

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,793.48690

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FF600R12ME4B11BPSA1
FF600R12ME4B11BPSA1
FF600R12 - IGBT MODULE

¥1,512.31752

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,024.63504

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FF200R12KE3HOSA1
FF200R12KE3HOSA1
参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大功率: 1050瓦 供应商设备包装: Module

¥1,052.39337

26

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,052.39337

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FS660R08A6P2FLBBPSA1
FS660R08A6P2FLBBPSA1
FS660R08 - IGBT MODULE

¥3,070.91717

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,070.91717

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FD450R12KE4PHOSA1
FD450R12KE4PHOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 单斩波器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 450 A 供应商设备包装: AG-62MM-1

¥1,442.49596

56

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,442.49596

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FZ1200R12HE4HOSA2
FZ1200R12HE4HOSA2
FZ1200R12 - IGBT MODULE

¥4,279.39504

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,279.39504

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FS100R12KE3BOSA1
FS100R12KE3BOSA1
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 480瓦 供应商设备包装: Module

¥1,485.22907

35

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,485.22907

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FP15R12KE3GBPSA1
FP15R12KE3GBPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 105瓦 供应商设备包装: AG-ECONO2C

¥549.44639

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,241.69591

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FD1200R17KE3KNOSA1
FD1200R17KE3KNOSA1
FD1200R17K - IGBT MODULE

¥6,986.42891

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,986.42891

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FA300R12ME4BOSA1
FA300R12ME4BOSA1
MODULE IGBT ECONO DUAL 3

¥6,551.53622

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,551.53622

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FS25R12KT3BPSA1
FS25R12KT3BPSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 全桥逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 145 W 供应商设备包装: AG-ECONO2B

¥550.17068

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,252.56026

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FZ3600R17HE4PHPSA1
FZ3600R17HE4PHPSA1
FZ3600R17HE4P - 1700 V, 3600 A S

¥9,862.00507

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,862.00507

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FP30R06YE3BOMA1
FP30R06YE3BOMA1
MODULE IGBT CBI E2

¥2,933.12671

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,933.12671

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IM240M6Z1BALMA1
IM240M6Z1BALMA1
参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大功率: 8.9 W 供应商设备包装: 23-SOP

¥84.89765

1

2-3 工作日

- +

合计: ¥84.89765

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BSM50GB170DN2HOSA1
BSM50GB170DN2HOSA1
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 72 A 最大功率: 500 W 供应商设备包装: Module

¥395.10020

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,580.40078

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FD800R33KF2CNOSA1
FD800R33KF2CNOSA1
FD800R33K - IGBT MODULE

¥18,744.91492

1

5-7 工作日

- +

合计: ¥18,744.91492

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BSM75GB170DN2HOSA1
BSM75GB170DN2HOSA1
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 110 A 最大功率: 625 W 供应商设备包装: Module

¥675.97986

1002

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,703.91943

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IRGTI090U06
IRGTI090U06
参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 298 W 供应商设备包装: INT-A-Pak

¥1,713.59064

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,713.59064

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FP25R12KE3BOSA1
FP25R12KE3BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 155瓦 供应商设备包装: Module

¥2,170.02209

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.02209

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FP50R12KT4B11BOSA1
FP50R12KT4B11BOSA1
IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 280瓦 供应商设备包装: Module

¥620.86139

17

5-7 工作日

- +

合计: ¥620.86139

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