品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.15191 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥17.15191 | 立即购买 加入购物车 | |
 | IRGR3B60 - INSULATED GATE BIPOLA | ¥63.56369 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.56369 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IRG4PC50 - DISCRETE IGBT WITH AN | ¥198.50355 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥198.50355 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IRG4PSH71 - DISCRETE IGBT WITH A | ¥53.00354 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.00354 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | DISCRETE SWITCHES | ¥203.74278 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥203.74278 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGW25N120H3 - 1200V, 25A IGBT DI | ¥198.71505 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥198.71505 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IRG4PSC71 - DISCRETE IGBT WITH A | ¥52.07066 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.07066 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGB50N65 - INDUSTRY 14 | ¥174.49257 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥174.49257 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: NPT, Trench Field Stop 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 110瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥32.08605 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.08605 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 76 A 最大功率: 230.8 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥36.14207 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.14207 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1350 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 394瓦 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.48343 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥28.48343 | 立即购买 加入购物车 | |
| | IGBT TRENCH | ¥28.13287 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥28.13287 | 立即购买 加入购物车 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 273 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥41.71910 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.71910 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 333 W 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥35.63434 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥35.63434 | 立即购买 加入购物车 | |
 | IKW75N60 - DISCRETE IGBT WITH AN | ¥42.31230 | 2 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥423.12298 | 立即购买 加入购物车 | |
 | IKW50N60 - AUTOMOTIVE IGBT DISCR | ¥29.84075 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥358.08898 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 18A 最大功率: 70 W 供应商设备包装: PG-TO220-3-111 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.58114 | 48 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.58114 | 立即购买 加入购物车 | |
 | IGW60T120 - DISCRETE IGBT WITHOU | ¥35.08054 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥280.64430 | 立即购买 加入购物车 | |
| | IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 36A 最大功率: 176 W 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥40.19810 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.19810 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 140 A 最大功率: 454 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥54.75422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,861.64362 | 添加到BOM 立即询价 |