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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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操作
CY7C1325G-133AXCB
CY7C1325G-133AXCB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥39.03923

339

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.19694

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CY15B108QI-20LPXC
CY15B108QI-20LPXC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 1.8伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-GQFN (3.23x3.28)

¥253.21178

303

5-7 工作日

- +

合计: ¥253.21178

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CY62146CV30LL-70BAIT
CY62146CV30LL-70BAIT
SRAM CHIP ASYNC SINGLE 3V 4M BIT

¥15.35495

72000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.40262

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CY7C1049CV33-10ZXCT
CY7C1049CV33-10ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥39.11166

20000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C1371BV25-100AC
CY7C1371BV25-100AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥93.86798

129

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,252.83162

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CY62147CV18LL-70BAI
CY62147CV18LL-70BAI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-FBGA (7x8.5)

¥15.35495

13010

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.40262

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CY7C107B-20VCT
CY7C107B-20VCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (1M x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥39.11166

750

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C107B-20VC
CY7C107B-20VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (1M x 1) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥37.80248

4388

2-3 工作日

- +

合计: ¥1,738.91426

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CY7C028-12AXC
CY7C028-12AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥626.51085

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,506.04340

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CY7C1061G30-10ZSXI
CY7C1061G30-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥245.51121

2531

2-3 工作日

- +

合计: ¥245.51121

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CY62147CV18LL-70BAIT
CY62147CV18LL-70BAIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-FBGA (7x8.5)

¥15.35495

10000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.40262

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CY7C1049BN-15VXC
CY7C1049BN-15VXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥30.42018

165

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7C106B-25VC
CY7C106B-25VC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (256K x 4) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥15.35495

5768

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.40262

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CY7C1049BN-15VXI
CY7C1049BN-15VXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 36-SOJ

¥30.42018

112

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,190.25296

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CY7B144-15JC
CY7B144-15JC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 68-PLCC (24.23x24.23)

¥404.44354

36

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,426.66122

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CY7C1062G30-10BGXI
CY7C1062G30-10BGXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥438.91974

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥438.91974

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CY62177EV30LL-55ZXI
CY62177EV30LL-55ZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.2V ~ 3.7V 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥395.04732

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥395.04732

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CY7C1011CV33-10ZXCT
CY7C1011CV33-10ZXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥15.42738

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.26016

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CY14B108L-ZS45XI
CY14B108L-ZS45XI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥153.83920

1573

5-7 工作日

- +

合计: ¥153.83920

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CY7C1021CV33-10ZI
CY7C1021CV33-10ZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥15.42738

2148

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.26016

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