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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1371D-100AXCT
CY7C1371D-100AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥86.59611

0

5-7 工作日

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合计: ¥86.59611

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CY7C1424TV18-250BZC
CY7C1424TV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥449.49437

554

5-7 工作日

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合计: ¥2,247.47187

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CY7C2568KV18-400BZC
CY7C2568KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,894.67021

360

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,789.34042

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CY7C1371D-100AXI
CY7C1371D-100AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥286.81884

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,720.91304

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CY7C1426SV18-250BZC
CY7C1426SV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥70.93696

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥70.93696

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CY7C2568KV18-450BZC
CY7C2568KV18-450BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥2,050.10285

554

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,100.20569

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CY7C1371D-100AXIT
CY7C1371D-100AXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥15.29701

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.29701

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CY7C1426UV18-300BZC
CY7C1426UV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥48.70126

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.70126

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STK14CA8-RF35ITR
STK14CA8-RF35ITR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥57.11751

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥57.11751

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CY7C1371D-133AXC
CY7C1371D-133AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥238.58113

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,908.64901

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CY7C1460SV25-167BZC
CY7C1460SV25-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥383.36670

325

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,300.20018

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STK14CA8-RF35TR
STK14CA8-RF35TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥28.69637

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.69637

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CY7C1371D-133AXCT
CY7C1371D-133AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥238.58113

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,908.64901

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CY7C1512SV18-250BZC
CY7C1512SV18-250BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥26.36416

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.36416

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STK14CA8-RF45ITR
STK14CA8-RF45ITR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-SSOP

¥874.24700

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥874.24700

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CY62146EV30LL-45ZSXAT
CY62146EV30LL-45ZSXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥49.68629

5000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.19694

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CY7C2570KV18-400BZC
CY7C2570KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,894.67021

116

5-7 工作日

- +

合计: ¥3,789.34042

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CY7C1372D-167AXC
CY7C1372D-167AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥178.68234

14

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,501.55280

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CY7C1512TV18-167BZC
CY7C1512TV18-167BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥595.96030

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥595.96030

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CY62147EV30LL-45ZSXAT
CY62147EV30LL-45ZSXAT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥54.53904

18000

5-7 工作日

- +

合计: ¥54.53904

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