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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C1414KV18-300BZC
CY7C1414KV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥388.43673

66

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,330.62036

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CY14MB064Q1A-SXI
CY14MB064Q1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥24.11886

3358

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.81599

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CY7C1414KV18-300BZI
CY7C1414KV18-300BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥367.35989

312

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,204.15933

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CY14MB064Q2A-SXI
CY14MB064Q2A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥27.81274

3357

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,197.20614

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CY7C1414KV18-300BZXI
CY7C1414KV18-300BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥388.43673

87

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,330.62036

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CY14B256Q1A-SXI
CY14B256Q1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥45.41298

3760

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.82318

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CY7C1415KV18-300BZI
CY7C1415KV18-300BZI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥641.35880

204

5-7 工作日

- +

合计: ¥641.35880

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CY14B256Q2A-SXI
CY14B256Q2A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥44.97841

8993

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,203.94204

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CY7C1350G-133BGXC
CY7C1350G-133BGXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥42.87797

1564

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.77637

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S29GL01GP11TFIR20
S29GL01GP11TFIR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 56-TSOP

¥120.73914

60643

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,811.08715

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CY14B512Q2A-SXI
CY14B512Q2A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥55.40819

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥110.81637

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CY62256NLL-70SNXA
CY62256NLL-70SNXA
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥120.95643

129

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,814.34645

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CY14B101Q1A-SXI
CY14B101Q1A-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥52.22131

399

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.29498

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CY14B512PA-SFXI
CY14B512PA-SFXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥63.88238

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,235.88323

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CY7C1308SV25C-167BZXC
CY7C1308SV25C-167BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥213.01369

98

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,343.15058

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CY7C2170KV18-400BZC
CY7C2170KV18-400BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥266.17658

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,129.41260

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CY7C1440AV33-250BZXI
CY7C1440AV33-250BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥471.94736

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥471.94736

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CY7C1426KV18-250BZXC
CY7C1426KV18-250BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (4M x 9) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥361.71043

1138

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,531.97298

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CYDC128B16-55AXI
CYDC128B16-55AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (8K x 16) 电源电压: 1.7V~1.9V、2.4V~2.6V、3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥126.75075

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,901.26125

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CY7C1245KV18-400BZXI
CY7C1245KV18-400BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥464.99418

204

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,324.97090

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