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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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S25FL032P0XMFB003
S25FL032P0XMFB003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥29.43515

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5-7 工作日

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合计: ¥29.43515

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S29GL128N90FFAR22
S29GL128N90FFAR22
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8, 8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

¥44.25412

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合计: ¥44.25412

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S25FL032P0XMFV013
S25FL032P0XMFV013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥84.00315

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5-7 工作日

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合计: ¥84.00315

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S25FL032P0XNFB003
S25FL032P0XNFB003
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥22.77168

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合计: ¥22.77168

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S25FL116K0XBHIS23
S25FL116K0XBHIS23
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥30.56504

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合计: ¥30.56504

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S25FL116K0XBHIS33
S25FL116K0XBHIS33
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥341.22751

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合计: ¥341.22751

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S25FL116K0XBHV023
S25FL116K0XBHV023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥309.30080

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合计: ¥309.30080

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S25FL116K0XBHV033
S25FL116K0XBHV033
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (6x8)

¥563.91771

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合计: ¥563.91771

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S25FL116K0XMFIQ13
S25FL116K0XMFIQ13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥44.47141

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5-7 工作日

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合计: ¥44.47141

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S25FL116K0XMFIS13
S25FL116K0XMFIS13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥84.17698

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合计: ¥84.17698

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CY7C024AV-20AXCT
CY7C024AV-20AXCT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (4K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥40.35744

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合计: ¥40.35744

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S25FL116K0XMFV013
S25FL116K0XMFV013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥11.11061

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合计: ¥11.11061

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CY7C136E-25JXIT
CY7C136E-25JXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥231.39617

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥231.39617

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S29JL032J60BHI310
S29JL032J60BHI310
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥42.15368

0

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合计: ¥42.15368

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CG7811AA
CG7811AA
IC SRAM DUAL PORT

¥212.43426

82

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合计: ¥2,336.77683

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S72VS256RE0AHBH10
S72VS256RE0AHBH10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 256Mb Flash, 256Mb DDR DRAM 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 133-FBGA (8x8)

¥70.34305

0

5-7 工作日

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合计: ¥70.34305

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S72VS256RE0AHBH13
S72VS256RE0AHBH13
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH, RAM 存储容量: 256Mb Flash, 256Mb DDR DRAM 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 133-FBGA (8x8)

¥151.89810

0

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合计: ¥151.89810

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S25FL116K0XMFV043
S25FL116K0XMFV043
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥44.57281

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合计: ¥44.57281

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S25FL116K0XNFV013
S25FL116K0XNFV013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥62.27445

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合计: ¥62.27445

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S25FL127SABBHIC03
S25FL127SABBHIC03
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥47.89006

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合计: ¥47.89006

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