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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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品牌型号
描述
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S25FL129P0XMFI011
S25FL129P0XMFI011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥3.54902

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.54902

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FM25CL64B-GATR
FM25CL64B-GATR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥221.86451

0

5-7 工作日

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合计: ¥221.86451

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CY7C1623KV18-333BZXC
CY7C1623KV18-333BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥2,070.02082

316

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,140.04164

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S29AL008J70BFN023
S29AL008J70BFN023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥447.53879

0

5-7 工作日

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合计: ¥447.53879

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S25FL129P0XMFV001
S25FL129P0XMFV001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥24.61137

1410

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合计: ¥24.61137

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CY7C1613KV18-333BZXC
CY7C1613KV18-333BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥2,475.04379

128

5-7 工作日

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合计: ¥2,475.04379

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S29AL016J55FFA023
S29AL016J55FFA023
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥516.14354

0

5-7 工作日

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合计: ¥516.14354

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CY7C1615KV18-333BZXC
CY7C1615KV18-333BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥2,475.04379

111

5-7 工作日

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合计: ¥2,475.04379

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S29WS256RAABHW000E
S29WS256RAABHW000E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

¥64.75153

0

5-7 工作日

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合计: ¥64.75153

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S25FL129P0XMFV011
S25FL129P0XMFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥68.82204

0

5-7 工作日

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合计: ¥68.82204

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S29GL02GS12TFSR20
S29GL02GS12TFSR20
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥88.29095

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,854.10997

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S29WS256RAABHW200E
S29WS256RAABHW200E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

¥150.57989

0

5-7 工作日

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合计: ¥150.57989

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S25FL129P0XNFV001
S25FL129P0XNFV001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥73.73272

1004

5-7 工作日

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合计: ¥73.73272

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CY14B102NS-BA45XC
CY14B102NS-BA45XC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x10)

¥164.05169

419

5-7 工作日

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合计: ¥2,296.72359

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CY7C1613KV18-300BZXC
CY7C1613KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (15x17)

¥2,291.79842

183

5-7 工作日

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合计: ¥2,291.79842

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S25FL129P0XNFV011
S25FL129P0XNFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥9.15503

0

5-7 工作日

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合计: ¥9.15503

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S99-50481
S99-50481
IC NOR

¥34.11406

0

5-7 工作日

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合计: ¥34.11406

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S25FL132K0XMFA011
S25FL132K0XMFA011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥30.92718

0

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合计: ¥30.92718

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S29WS512R0SBHW200E
S29WS512R0SBHW200E
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (11.6x8)

¥23.90157

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合计: ¥23.90157

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S25FL132K0XMFB011
S25FL132K0XMFB011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥79.87470

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合计: ¥79.87470

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