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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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CY7C1312KV18-333BZC
CY7C1312KV18-333BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥281.96610

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合计: ¥2,255.72878

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CY14ME064J2-SXI
CY14ME064J2-SXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥27.81274

5728

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S29CL016J1JQFM030
S29CL016J1JQFM030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 80-PQFP (14x20)

¥116.49480

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CY7C1360S-166BZXI
CY7C1360S-166BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥99.95202

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合计: ¥2,198.94444

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CY7C1351G-100AXC
CY7C1351G-100AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥50.55544

227

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S29CL016J1JQFM033
S29CL016J1JQFM033
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (512K x 32) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 80-PQFP (14x20)

¥81.76351

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CY7C1460SV25-167BZXC
CY7C1460SV25-167BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥383.36670

162

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S99GL512M0040
S99GL512M0040
IC MEMORY NOR

¥70.76313

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CY7C1373KV33-100AXC
CY7C1373KV33-100AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 100兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥199.68675

45

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S29CL032J0RQFI020
S29CL032J0RQFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 80-PQFP (14x20)

¥43.54432

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S29CL032J0RQFI030
S29CL032J0RQFI030
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 时钟频率: 75 MHz 供应商设备包装: 80-PQFP (14x20)

¥40.29950

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CY7C1413KV18-300BZXC
CY7C1413KV18-300BZXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥128.27176

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S29GL032N90BFA040
S29GL032N90BFA040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥140.80198

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CY7C1512KV18-300BZC
CY7C1512KV18-300BZC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

¥1,242.37464

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S25FL204K0TMFI043
S25FL204K0TMFI043
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 85 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC

¥37.38785

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CY7C1049G30-10ZSXI
CY7C1049G30-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥52.43860

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FM24C04B-G2TR
FM24C04B-G2TR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥11.84938

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S29GL032N90BFA043
S29GL032N90BFA043
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8.15x6.15)

¥64.23004

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CY7C1515KV18-333BZXI
CY7C1515KV18-333BZXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FBGA (13x15)

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S29GL032N90FFA043
S29GL032N90FFA043
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (13x11)

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