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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY14B064PA-SFXI
CY14B064PA-SFXI
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥57.94320

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5-7 工作日

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合计: ¥57.94320

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CY7C144E-15AXC
CY7C144E-15AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥240.02971

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,920.23765

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FM25V05-G
FM25V05-G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥98.64830

0

5-7 工作日

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合计: ¥98.64830

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FM25W256-GTR
FM25W256-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥19.45371

3692

2-3 工作日

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合计: ¥19.45371

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S25FL064LABNFM010
S25FL064LABNFM010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (5x6)

¥27.21954

517

2-3 工作日

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合计: ¥27.21954

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CY7C09369V-12AXC
CY7C09369V-12AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Kb (16K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥241.47829

411

5-7 工作日

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合计: ¥1,931.82629

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S29GL01GS11TFI010
S29GL01GS11TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥100.31417

2313

5-7 工作日

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合计: ¥100.31417

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CY7C027V-25AXC
CY7C027V-25AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥247.70718

731

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,981.65744

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S29GL01GS10DHI010
S29GL01GS10DHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥100.31417

477

5-7 工作日

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合计: ¥100.31417

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S29GL01GS10TFI010
S29GL01GS10TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥73.46104

238

2-3 工作日

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合计: ¥73.46104

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STK11C88-SF45I
STK11C88-SF45I
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥258.35424

1062

5-7 工作日

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合计: ¥2,066.83394

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S29GL01GS11DHI010
S29GL01GS11DHI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥100.31417

3696

5-7 工作日

- +

合计: ¥100.31417

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FM25C160B-GTR
FM25C160B-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥36.38371

3139

2-3 工作日

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合计: ¥36.38371

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CY7C0830AV-133BBI
CY7C0830AV-133BBI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1.152Mb(64K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 144-FBGA(13x13)

¥478.03140

11

5-7 工作日

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合计: ¥2,390.15700

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CY7C026AV-20AXC
CY7C026AV-20AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (16K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥309.59849

0

2-3 工作日

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合计: ¥2,476.78788

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CY7C1350G-200AXC
CY7C1350G-200AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥16.73110

47

5-7 工作日

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合计: ¥16.73110

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S29GL01GS10TFI020
S29GL01GS10TFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥6.31618

1719

2-3 工作日

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合计: ¥6.31618

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FM24C16B-GTR
FM24C16B-GTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥10.21518

9190

2-3 工作日

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合计: ¥10.21518

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FM24C64B-G
FM24C64B-G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥39.63113

6878

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S25FL256SAGBHIC00
S25FL256SAGBHIC00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥33.58820

1871

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