品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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S29GL01GS12DHIV10
S29GL01GS12DHIV10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥95.02685

678

5-7 工作日

- +

合计: ¥95.02685

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CY7C1021B-12VI
CY7C1021B-12VI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-SOJ

¥9.56063

0

5-7 工作日

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合计: ¥9.56063

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FM24C16B-G
FM24C16B-G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FRAM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥17.09324

2186

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.09324

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S25FS256SAGNFI001
S25FS256SAGNFI001
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 1.7伏~2伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x8)

¥267.20271

0

2-3 工作日

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合计: ¥267.20271

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S29GL032N90TFI040
S29GL032N90TFI040
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥24.27683

29457

2-3 工作日

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合计: ¥24.27683

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S29AL016J70TFI020
S29AL016J70TFI020
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8, 1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥17.88996

0

5-7 工作日

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合计: ¥17.88996

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S25FL064LABMFI000
S25FL064LABMFI000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥18.90397

1200

5-7 工作日

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合计: ¥18.90397

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CY7C1011DV33-10ZSXIT
CY7C1011DV33-10ZSXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥38.17226

658

2-3 工作日

- +

合计: ¥38.17226

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S25FL127SABMFB101
S25FL127SABMFB101
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 108兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥38.02523

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.02523

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CY62138CV30LL-55BVI
CY62138CV30LL-55BVI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.3伏 供应商设备包装: 36-VFBGA(6x8)

¥9.70549

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥184.40423

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CY7C1012AV33-10BGC
CY7C1012AV33-10BGC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 12Mb (512K x 24) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥262.98970

76

5-7 工作日

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合计: ¥2,366.90729

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S70FL01GSAGBHIC10
S70FL01GSAGBHIC10
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥105.23934

591

5-7 工作日

- +

合计: ¥105.23934

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CY62137EV30LL-45ZSXI
CY62137EV30LL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥16.18498

8

2-3 工作日

- +

合计: ¥16.18498

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CY7C1355C-133AXC
CY7C1355C-133AXC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥109.22293

144

5-7 工作日

- +

合计: ¥109.22293

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CY62136EV30LL-45ZSXI
CY62136EV30LL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥23.94286

1

2-3 工作日

- +

合计: ¥23.94286

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S29GL128S10TFI010
S29GL128S10TFI010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥12.78589

0

2-3 工作日

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合计: ¥12.78589

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S70FL01GSAGMFV011
S70FL01GSAGMFV011
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥114.51025

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥114.51025

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CY7C1354C-166AXI
CY7C1354C-166AXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x20)

¥77.81265

350

2-3 工作日

- +

合计: ¥77.81265

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CY7C1021D-10ZSXI
CY7C1021D-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥7.03286

149

2-3 工作日

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合计: ¥7.03286

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S34ML08G101TFA000
S34ML08G101TFA000
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥106.25334

2541

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合计: ¥1,912.56017

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