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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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CY7C006AV-25AC
CY7C006AV-25AC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 64-TQFP (14x14)

¥60.84036

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5-7 工作日

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合计: ¥1,886.05116

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CY7B1342-25JC
CY7B1342-25JC
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 52-PLCC (19.13x19.13)

¥61.78194

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5-7 工作日

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合计: ¥1,853.45811

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S25FL256SAGBHBA00
S25FL256SAGBHBA00
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-BGA (8x6)

¥53.99754

6440

2-3 工作日

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合计: ¥53.99754

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CY62146EV30LL-45ZSXI
CY62146EV30LL-45ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥50.19330

7975

5-7 工作日

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合计: ¥50.19330

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S29GL064N90TFI013
S29GL064N90TFI013
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥36.43179

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5-7 工作日

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合计: ¥36.43179

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S29GL256S90TFA010
S29GL256S90TFA010
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP

¥47.69450

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5-7 工作日

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合计: ¥43,401.99227

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S29GL256S90DHSS33
S29GL256S90DHSS33
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-FBGA (9x9)

¥43.34876

0

5-7 工作日

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合计: ¥95,367.26540

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CY62147G30-45B2XI
CY62147G30-45B2XI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥40.27052

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5-7 工作日

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合计: ¥2,214.87882

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CY7C1020D-10ZSXI
CY7C1020D-10ZSXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥34.40378

1698

5-7 工作日

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合计: ¥206.42265

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CY7C1041G30-10BVXI
CY7C1041G30-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥36.64907

0

5-7 工作日

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合计: ¥36.64907

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CY7C1041GN30-10BVXI
CY7C1041GN30-10BVXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥14.48580

0

5-7 工作日

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合计: ¥14.48580

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CY14MB064Q2A-SXQT
CY14MB064Q2A-SXQT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥33.67949

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合计: ¥84,198.71250

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CY62146G30-45BVXIT
CY62146G30-45BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥39.43759

0

5-7 工作日

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合计: ¥78,875.18200

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CY14ME064J2-SXQT
CY14ME064J2-SXQT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 3.4兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥33.67949

0

5-7 工作日

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合计: ¥84,198.71250

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CY62147G30-45B2XIT
CY62147G30-45B2XIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥39.43759

0

5-7 工作日

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合计: ¥78,875.18200

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CG7050AT
CG7050AT
SPECIAL

¥280.08294

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合计: ¥1,960.58060

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CY14ME064Q2A-SXQT
CY14ME064Q2A-SXQT
存储类型: Non-Volatile 存储格式: NVSRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥33.67949

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥84,198.71250

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CY7C1041G30-10BVXIT
CY7C1041G30-10BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥70.20311

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2-3 工作日

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合计: ¥140,406.22400

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CY7C1041GN30-10BVJXIT
CY7C1041GN30-10BVJXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

¥61.50309

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合计: ¥123,006.17000

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CY7C1041GN30-10BVXIT
CY7C1041GN30-10BVXIT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8)

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