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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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ISL9V2540S3S
ISL9V2540S3S
集电极击穿电压: 430伏 最大集电极电流 (Ic): 15.5 A 最大功率: 166.7 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥58.73992

9000

5-7 工作日

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合计: ¥58.73992

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FGD2N40L
FGD2N40L
集电极击穿电压: 400伏 最大集电极电流 (Ic): 7 A 最大功率: 29 W 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.74511

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.74510

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NGP8203N
NGP8203N
IGBT, 20A, 440V, N-CHANNEL

¥7.74990

3617

5-7 工作日

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合计: ¥2,177.72274

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FGPF70N30TDTU
FGPF70N30TDTU
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 300伏 最大功率: 49.2 W 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.95374

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.95374

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FGPF70N30TTU
FGPF70N30TTU
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 300伏 最大功率: 49.2 W 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.13873

9000

5-7 工作日

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合计: ¥49.13873

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FGH80N60FDTU
FGH80N60FDTU
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.01588

0

2-3 工作日

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合计: ¥36.01588

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FGPF30N45TTU
FGPF30N45TTU
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 450伏 最大功率: 50.4 W 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.19013

9000

5-7 工作日

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合计: ¥24.19013

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NGB8207NT4G
NGB8207NT4G
集电极击穿电压: 365伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 165瓦 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.18448

2400

5-7 工作日

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合计: ¥2,168.88641

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FGA70N30TTU
FGA70N30TTU
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 300伏 最大功率: 201 W 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥140.75480

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥140.75480

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FGPF45N45TTU
FGPF45N45TTU
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 450伏 最大功率: 51.6 W 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥113.13410

9000

5-7 工作日

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合计: ¥113.13410

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FGA15N120FTDTU
FGA15N120FTDTU
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 220瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.63747

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.63747

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NGB8206ANTF4G
NGB8206ANTF4G
集电极击穿电压: 390伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 150瓦 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.54662

2800

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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MGB20N36CL
MGB20N36CL
IGBT D2PAK 360V CL

¥8.54662

734

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,187.93523

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MGW14N60ED
MGW14N60ED
IGBT, 18A, 600V, N-CHANNEL

¥9.12605

1103

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,181.12691

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HGT1S7N60A4DS
HGT1S7N60A4DS
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 34 A 最大功率: 125瓦 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.60898

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.60898

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HGT1S12N60A4S9A
HGT1S12N60A4S9A
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 54 A 最大功率: 167 W 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.96191

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.96191

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FGA180N33ATTU
FGA180N33ATTU
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 330伏 最大集电极电流 (Ic): 180 A 最大功率: 390瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥59.20347

9000

5-7 工作日

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合计: ¥59.20347

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FGA25N120FTD
FGA25N120FTD
IGBT型: 场终止沟道 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 313瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.17728

9000

5-7 工作日

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合计: ¥23.17728

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FGA90N33ATDTU
FGA90N33ATDTU
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 330伏 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥76.81820

9000

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合计: ¥76.81820

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FGA90N33ATTU
FGA90N33ATTU
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 330伏 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.65313

9000

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