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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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N25S830HAS22IT
N25S830HAS22IT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥9.63306

160

5-7 工作日

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合计: ¥2,177.07088

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NV25010DTHFT3G
NV25010DTHFT3G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥3.10539

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,316.17900

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NV24C08DTVLT3G
NV24C08DTVLT3G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥1.78719

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,361.55800

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NV25512MUW3VTBG
NV25512MUW3VTBG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3)

¥16.85785

21000

5-7 工作日

- +

合计: ¥50,573.55000

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NV34C04MUW3VTBG
NV34C04MUW3VTBG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8, 256 x 16) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3)

¥12.16807

0

5-7 工作日

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合计: ¥36,504.21600

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NV24C04DTVLT3G
NV24C04DTVLT3G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥1.81254

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,437.60800

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NV25256MUW3VTBG
NV25256MUW3VTBG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3)

¥17.03530

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥51,105.90300

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LE25U40CQE-AH
LE25U40CQE-AH
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-VSON (6x5)

¥3.89901

0

2-3 工作日

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合计: ¥3.89901

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NV24C16DTVLT3G
NV24C16DTVLT3G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥1.86324

3883

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,589.70800

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N64S830HAS22IT
N64S830HAS22IT
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 20兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥16.45780

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥49,373.38500

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CAT24S128C4UTR
CAT24S128C4UTR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 4-WLCSP (0.84x0.84)

¥1.52101

213795

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,173.52186

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NV93C86BMUW3VTBG
NV93C86BMUW3VTBG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8, 1K x 16) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3)

¥4.05602

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,168.07200

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NV24C64UVLT2G
NV24C64UVLT2G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: US8

¥1.90126

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,703.78300

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CAV24C128WE-GT3
CAV24C128WE-GT3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.25931

1624

5-7 工作日

- +

合计: ¥919.12401

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CAV25320YE-GT3
CAV25320YE-GT3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥3.33173

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,399.32828

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CAT24C32WI-GT3HP
CAT24C32WI-GT3HP
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥2.15476

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,464.28900

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N64S818HAT21I
N64S818HAT21I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 16兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥8.84452

10050

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,653.35660

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CAT25M01YI-GT3
CAT25M01YI-GT3
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥15.71709

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,184.67593

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NV25010DWHFT3G
NV25010DWHFT3G
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 1Kb (128 x 8) 电源电压: 2.5伏~5.5伏 时钟频率: 10兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥3.04202

39000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,126.05400

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NV24C16MUW3VTBG
NV24C16MUW3VTBG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 16Kb (2K x 8) 电源电压: 1.7伏~5.5伏 时钟频率: 1兆赫 供应商设备包装: 8-UDFN (2x3)

¥3.04202

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,126.05400

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