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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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CY62256NLL-55SNXI
CY62256NLL-55SNXI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOIC

¥17.09324

1307

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.09324

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AS6C62256-55SINTR
AS6C62256-55SINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOP

¥25.71230

1974

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.71230

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AS4C256M16D3C-12BIN
AS4C256M16D3C-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥86.20900

17363

2-3 工作日

- +

合计: ¥86.20900

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AS4C256M16D3LC-12BIN
AS4C256M16D3LC-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥63.66624

5761

2-3 工作日

- +

合计: ¥63.66624

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AS4C256M16D3LC-10BIN
AS4C256M16D3LC-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥86.20900

3953

2-3 工作日

- +

合计: ¥86.20900

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AS4C32M16SB-7TCNTR
AS4C32M16SB-7TCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥305.74086

3004

2-3 工作日

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合计: ¥305.74086

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AS7C4096A-12TCN
AS7C4096A-12TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥32.15891

1207

2-3 工作日

- +

合计: ¥32.15891

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AS4C8M16D1A-5TIN
AS4C8M16D1A-5TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥19.36891

232

2-3 工作日

- +

合计: ¥19.36891

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AS4C2M32S-7BCN
AS4C2M32S-7BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥29.42645

190

2-3 工作日

- +

合计: ¥29.42645

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AS4C128M16D3C-93BCN
AS4C128M16D3C-93BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 1.066千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13)

¥73.00843

3656

5-7 工作日

- +

合计: ¥73.00843

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AS4C16M16MD1-6BCN
AS4C16M16MD1-6BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9)

¥31.50662

3519

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.50662

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AS4C512M8D4-83BCN
AS4C512M8D4-83BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (7.5x10.6)

¥59.26278

195

2-3 工作日

- +

合计: ¥59.26278

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AS4C4M16SA-7TCN
AS4C4M16SA-7TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥22.38056

7029

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.38056

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AS4C32M8SA-7TCN
AS4C32M8SA-7TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (32M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥20.75616

121

2-3 工作日

- +

合计: ¥20.75616

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M29F400FB55N3F2
M29F400FB55N3F2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8, 256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 48-TSOP

¥31.94119

12591

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.94119

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AS4C16M16D2-25BIN
AS4C16M16D2-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5)

¥52.64183

79

2-3 工作日

- +

合计: ¥52.64183

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AS1C512K16P-70BIN
AS1C512K16P-70BIN
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.6伏~3.3伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x7)

¥27.37816

1906

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.37816

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AS1C512K16PL-70BIN
AS1C512K16PL-70BIN
存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 48-FBGA (6x7)

¥27.37816

1092

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.37816

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AS6C1008-55STIN
AS6C1008-55STIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥24.11886

2063

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.11886

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AS7C1024B-12TCN
AS7C1024B-12TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥27.37816

146

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.37816

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