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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS6C4008A-55SINTR
AS6C4008A-55SINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥33.77737

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2-3 工作日

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合计: ¥33,777.36600

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AS4C4M16SA-5TCN
AS4C4M16SA-5TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥18.20236

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2-3 工作日

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合计: ¥1,965.85531

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AS6C4008A-55STINTR
AS6C4008A-55STINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥33.60959

0

5-7 工作日

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合计: ¥50,414.38650

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AS6C4008A-55ZINTR
AS6C4008A-55ZINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥33.60959

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥33,609.59100

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AS6C4008A-55TINTR
AS6C4008A-55TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥33.60959

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥50,414.38650

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AS4C4M16SA-7BCNTR
AS4C4M16SA-7BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)

¥18.47561

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2-3 工作日

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合计: ¥46,189.02250

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AS4C4M32MSA-6BINTR
AS4C4M32MSA-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13)

¥37.21396

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2-3 工作日

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合计: ¥37,213.95500

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AS7C316096B-10TIN
AS7C316096B-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥139.61802

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2-3 工作日

- +

合计: ¥21,780.41034

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AS7C316096C-10TIN
AS7C316096C-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥140.58281

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5-7 工作日

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合计: ¥21,930.91774

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AS6C4008A-55BINTR
AS6C4008A-55BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-TFBGA (6x8)

¥33.63110

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5-7 工作日

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合计: ¥67,262.20400

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AS7C3256A-12JINTR
AS7C3256A-12JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥17.05457

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,054.56700

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AS4C2M32S-6BINTR
AS4C2M32S-6BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥33.79838

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2-3 工作日

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合计: ¥67,596.76800

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AS7C3256A-20JINTR
AS7C3256A-20JINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-SOJ

¥17.05457

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,054.56700

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AS7C316098B-10TIN
AS7C316098B-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥139.61802

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥21,780.41034

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AS7C256A-20TINTR
AS7C256A-20TINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥17.05457

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,054.56700

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AS4C64M16D2B-25BCNTR
AS4C64M16D2B-25BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

¥33.79838

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2-3 工作日

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合计: ¥84,495.96000

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AS6C1008-55SINTR
AS6C1008-55SINTR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥17.05457

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥17,054.56700

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AS4C64M16D3LB-12BAN
AS4C64M16D3LB-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥50.79482

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5-7 工作日

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合计: ¥9,651.01580

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AS7C3256A-20TIN
AS7C3256A-20TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥16.95174

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2-3 工作日

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合计: ¥3,966.70693

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AS7C256A-10JIN
AS7C256A-10JIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥16.95174

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2-3 工作日

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合计: ¥4,237.93475

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