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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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AS7C31026C-10BIN
AS7C31026C-10BIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-BGA (7x7)

¥83.06158

0

5-7 工作日

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合计: ¥83.06158

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MT48LC32M16A2P-75:C
MT48LC32M16A2P-75:C
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥112.67055

9000

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合计: ¥112.67055

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AS4C128M16D3-12BAN
AS4C128M16D3-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥78.15089

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合计: ¥78.15089

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AS4C128M16D3-12BCN
AS4C128M16D3-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥134.86280

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合计: ¥134.86280

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AS4C128M16D3-12BIN
AS4C128M16D3-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥30.13046

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5-7 工作日

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合计: ¥30.13046

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AS4C128M16D3L-12BCN
AS4C128M16D3L-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥37.05468

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合计: ¥37.05468

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AS4C128M16D3L-12BIN
AS4C128M16D3L-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥34.69349

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合计: ¥34.69349

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AS4C128M8D2-25BIN
AS4C128M8D2-25BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥612.99560

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合计: ¥612.99560

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AS4C128M8D3-12BAN
AS4C128M8D3-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥24.08989

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合计: ¥24.08989

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AS4C128M8D3-12BCN
AS4C128M8D3-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥15.78952

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合计: ¥15.78952

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AS4C128M8D3-12BIN
AS4C128M8D3-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥59.08758

0

5-7 工作日

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合计: ¥59.08758

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AS4C128M8D3L-12BCN
AS4C128M8D3L-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥218.50381

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5-7 工作日

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合计: ¥218.50381

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AS4C128M8D3L-12BIN
AS4C128M8D3L-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥32.33231

0

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合计: ¥32.33231

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AS4C256M16D3-12BAN
AS4C256M16D3-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥8.60457

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合计: ¥8.60456

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AS4C256M16D3-12BCN
AS4C256M16D3-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥15.39841

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AS4C256M16D3-12BIN
AS4C256M16D3-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥138.93331

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合计: ¥138.93331

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AS4C256M16D3L-12BCN
AS4C256M16D3L-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥56.23388

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合计: ¥56.23388

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AS4C256M16D3L-12BIN
AS4C256M16D3L-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥36.53319

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AS4C256M8D3-12BAN
AS4C256M8D3-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥54.93015

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合计: ¥54.93015

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AS4C256M8D3-12BCN
AS4C256M8D3-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥95.15722

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合计: ¥95.15722

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