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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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AS4C128M16D3A-12BIN
AS4C128M16D3A-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥106.13746

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AS4C128M16D3LA-12BAN
AS4C128M16D3LA-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥56.40771

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合计: ¥56.40771

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AS4C128M16D3LA-12BIN
AS4C128M16D3LA-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥19.97592

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AS4C256M8D3A-12BIN
AS4C256M8D3A-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5)

¥60.88382

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AS4C256M16D3A-12BAN
AS4C256M16D3A-12BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥101.63237

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AS4C256M16D3A-12BCN
AS4C256M16D3A-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥37.59065

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AS4C256M16D3A-12BIN
AS4C256M16D3A-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥80.19339

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AS4C256M16D3LA-12BCN
AS4C256M16D3LA-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥9.27091

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AS6C4008A-55SIN
AS6C4008A-55SIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOP

¥66.76505

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合计: ¥66.76505

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AS4C256M16D3LA-12BIN
AS4C256M16D3LA-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥118.62422

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合计: ¥118.62422

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AS7C1024B-12TJIN
AS7C1024B-12TJIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥43.81955

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AS4C512M8D3A-12BIN
AS4C512M8D3A-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x10.5)

¥110.81637

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AS7C31025C-10TJIN
AS7C31025C-10TJIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥92.10072

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AS4C128M16D3A-12BANTR
AS4C128M16D3A-12BANTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥59.88430

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MT48LC4M32B2TG-6A:L
MT48LC4M32B2TG-6A:L
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 86-TSOP II

¥25.62538

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AS6C4008-55STINR
AS6C4008-55STINR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-sTSOP

¥21.80113

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AS4C128M16D3A-12BCNTR
AS4C128M16D3A-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥47.42651

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AS6C4016A-55ZIN
AS6C4016A-55ZIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥55.72687

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AS4C128M16D3A-12BINTR
AS4C128M16D3A-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(8x13)

¥137.51370

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MT48LC16M16A2F4-6A:GTR
MT48LC16M16A2F4-6A:GTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 54-VFBGA (8x8)

¥34.41826

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