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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

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品牌型号
描述
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MT47H128M8CF-3:H
MT47H128M8CF-3:H
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

¥46.00690

9000

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AS4C32M32MD2A-25BCN
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥57.62451

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AS4C128M16MD2A-25BCN
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥125.60637

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AS4C128M16MD2A-25BCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥28.45011

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AS4C64M32MD2A-25BCN
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥23.82914

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AS4C64M32MD2A-25BCNTR
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-FBGA (10x11.5)

¥29.56552

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AS4C16M16MD1-6BIN
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9)

¥22.26468

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AS4C16M16MD1-6BINTR
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9)

¥88.49375

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AS4C64M16MD1-5BCN
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

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AS4C64M16MD1-5BIN
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

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AS4C64M16MD1-5BINTR
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10)

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AS4C1G8MD3L-12BCN
AS4C1G8MD3L-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (1G x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (9x13.2)

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AS4C64M16D2-25BAN
AS4C64M16D2-25BAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-FBGA (8x12.5)

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AS4C4M16D1A-5TAN
AS4C4M16D1A-5TAN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥69.11175

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AS4C2M32D1-5TCN
AS4C2M32D1-5TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥140.67160

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AS4C2M32D1-5TIN
AS4C2M32D1-5TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥27.81274

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AS4C2M32D1-5BCN
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-BGA

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AS4C2M32D1-5BIN
AS4C2M32D1-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-BGA

¥105.22485

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AS4C4M32D1-5BCN
AS4C4M32D1-5BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-BGA

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AS4C4M32D1-5BIN
AS4C4M32D1-5BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 144-BGA

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