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品牌介绍

Alliance Memory,Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器(DSP)和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM;同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM(SDR)、DDR1、DDR2和DDR3产品。

英文全称: Alliance Memory, Inc.

中文全称: 联盟内存

英文简称: Alliance Memory

品牌地址: https://www.alliancememory.com/

久芯自营
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描述
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AS7C256B-15PIN
AS7C256B-15PIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-PDIP

¥36.09995

884

2-3 工作日

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合计: ¥36.09995

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AS4C64M16D1-6TIN
AS4C64M16D1-6TIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥248.82169

96

2-3 工作日

- +

合计: ¥248.82169

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AS4C256M16D3LC-12BCNTR
AS4C256M16D3LC-12BCNTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥81.09090

2142

2-3 工作日

- +

合计: ¥81.09090

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AS6C8016-55ZIN
AS6C8016-55ZIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥60.76793

1998

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.76793

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AS6C8008-55ZIN
AS6C8008-55ZIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥62.82548

3624

2-3 工作日

- +

合计: ¥62.82548

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AS4C64M16D3LB-12BIN
AS4C64M16D3LB-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥56.13248

202

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.13248

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AS4C256M16D3C-12BINTR
AS4C256M16D3C-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥88.00124

13075

5-7 工作日

- +

合计: ¥88.00124

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AS4C256M16D3LC-12BINTR
AS4C256M16D3LC-12BINTR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥301.77880

7865

2-3 工作日

- +

合计: ¥301.77880

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AS4C128M16D3LC-12BCN
AS4C128M16D3LC-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13)

¥66.12768

4533

5-7 工作日

- +

合计: ¥66.12768

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AS7C256A-10JCN
AS7C256A-10JCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥19.77312

94

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.77312

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AS7C3256A-10TIN
AS7C3256A-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥20.64227

10

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.64226

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AS7C256A-10TIN
AS7C256A-10TIN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥13.65177

9

2-3 工作日

- +

合计: ¥13.65177

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AS4C4M16SA-6TCN
AS4C4M16SA-6TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥22.38056

34

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.38056

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AS4C128M16D3LC-12BIN
AS4C128M16D3LC-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13)

¥70.76313

12390

5-7 工作日

- +

合计: ¥70.76313

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AS4C16M16D1A-5TCN
AS4C16M16D1A-5TCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥26.50901

72

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.50901

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AS7C31024B-12TCN
AS7C31024B-12TCN
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP I

¥17.75046

156

2-3 工作日

- +

合计: ¥17.75046

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AS4C64M16D3B-12BIN
AS4C64M16D3B-12BIN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(9x13)

¥56.13248

264

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.13248

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AS4C256M16D3C-12BCN
AS4C256M16D3C-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥80.36575

29444

2-3 工作日

- +

合计: ¥80.36575

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AS4C256M16D3LC-12BCN
AS4C256M16D3LC-12BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥70.73271

5838

2-3 工作日

- +

合计: ¥70.73271

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AS4C256M16D4-83BCN
AS4C256M16D4-83BCN
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(7.5x13.5)

¥59.26278

3307

2-3 工作日

- +

合计: ¥59.26278

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