品牌介绍
Alliance Memory，Inc.是一家为通信、计算、工业和消费市场提供传统内存产品的全球供应商。该公司支持与主流数字信号处理器（DSP）和微控制器一起使用的全系列3.3 V和5 V异步SRAM；同步SRAM、低功耗SRAM和ZMD低功耗SRAM。Alliance Memory还提供同步DRAM（SDR）、DDR1、DDR2和DDR3产品。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-FBGA (8x10.5) | ¥470.55673 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥470.55673 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥41.84948 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.84948 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9) | ¥119.37748 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥119.37748 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥23.11934 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.11934 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x9) | ¥75.09439 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.09439 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥72.48694 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.48694 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥492.57514 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥492.57514 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥13.35591 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.35591 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 90-FBGA (8x13) | ¥16.15167 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.15167 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥44.76112 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.76112 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥16.64418 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.64418 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥35.99721 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.99721 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥27.13190 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.13190 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥118.36347 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥118.36347 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥141.43935 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥141.43935 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II | ¥34.21546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.21546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥10.09660 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.09660 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TFBGA (8x12.5) | ¥22.91654 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.91654 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10) | ¥33.76640 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.76640 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-FBGA (8x10) | ¥127.83719 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥127.83719 | 添加到BOM 立即询价 |