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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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MT46H1DBB5-DC
MT46H1DBB5-DC
IC MOBILE DDR 512M NAX16 FBGA

¥33.46220

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MT40A512M16JY-062E:B
MT40A512M16JY-062E:B
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.6千兆赫 供应商设备包装: 96-FBGA(8x14)

¥80.97562

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合计: ¥80.97562

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EMFA164A2PK-DV-F-D
EMFA164A2PK-DV-F-D
IC SDRAM LPDDR3 16GBIT 256MX64 F

¥50.49750

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MT53D4DANY-DC
MT53D4DANY-DC
IC SDRAM LPDDR4 4G NA QDP

¥20.94647

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MT53D4DBNY-DC
MT53D4DBNY-DC
IC SDRAM LPDDR4 4G NA QDP

¥40.35744

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EDFA364A3PK-GD-F-D
EDFA364A3PK-GD-F-D
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (256M x 64) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 800 MHz

¥37.61962

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MT40A2G8FSE-083E:A
MT40A2G8FSE-083E:A
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Gb (2G x 8) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 1.2千兆赫 供应商设备包装: 78-FBGA (9.5x13)

¥120.00037

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5-7 工作日

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合计: ¥120.00037

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MT53D8DAHR-DC
MT53D8DAHR-DC
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 电源电压: 1.1伏 供应商设备包装: 366-WFBGA (12x12.7)

¥43.03731

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5-7 工作日

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合计: ¥43.03731

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MT53D4DFSB-DC
MT53D4DFSB-DC
IC SDRAM LPDDR4 32GBIT 512MX64 F

¥196.35502

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5-7 工作日

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合计: ¥196.35502

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M25PX80-VMN6TP
M25PX80-VMN6TP
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¥3.77289

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M45PE10-VMN6TP
M45PE10-VMN6TP
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¥4.69557

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M25P32-VMF6TP
M25P32-VMF6TP
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M25PE16-VMP6TG
M25PE16-VMP6TG
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¥8.14482

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M45PE16-VMP6TG
M45PE16-VMP6TG
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¥17.59952

40

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合计: ¥17.59952

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M25PE80-VMP6TG
M25PE80-VMP6TG
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¥6.91045

20

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M45PE80-VMW6TG
M45PE80-VMW6TG
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¥17.34059

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M25PE40-VMW6TG
M25PE40-VMW6TG
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¥3.54468

142

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M29W160EB70N6F
M29W160EB70N6F
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¥17.08836

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M45PE80-VMN6TP
M45PE80-VMN6TP
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¥5.25328

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MT41K512M16VRN-107IT:P
MT41K512M16VRN-107IT:P
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¥203.04253

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