品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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品牌型号
描述
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MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZABYY
MTFDDAK3T8TDS-1AW1ZABYY
种类: SATA III 存储类型: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (TLC) 存储容量: 3.84TB 读取速度: 540MB/s 写入速度: 520MB/s 电源电压: 5V

¥8,840.82860

0

5-7 工作日

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合计: ¥8,840.82860

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MTFDDAV1T9TDS-1AW1ZABYY
MTFDDAV1T9TDS-1AW1ZABYY
种类: SATA III 存储类型: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (TLC) 存储容量: 1.92TB 读取速度: 540MB/s 写入速度: 520MB/s 电源电压: 3V

¥4,867.66337

100

5-7 工作日

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合计: ¥4,867.66337

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MTFDHBE3T8TDF-1AW1ZABYY
MTFDHBE3T8TDF-1AW1ZABYY
种类: NVMe 存储类型: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (TLC) 存储容量: 3.84TB 读取速度: 3GB/s 写入速度: 1.8GB/s

¥8,221.70551

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥8,221.70551

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MTFDHBL128TDP-1AT12AIYY
MTFDHBL128TDP-1AT12AIYY
种类: NVMe 存储类型: Solid State Drive (SSD) FLASH - NAND (TLC) 存储容量: 128GB 读取速度: 1.1GB/s 写入速度: 420MB/s

¥817.28884

0

5-7 工作日

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合计: ¥817.28884

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MTA18ASF2G72XF1Z-2G9WP1AB
MTA18ASF2G72XF1Z-2G9WP1AB
存储类型: DDR4 SDRAM 存储容量: 16GB 速度: 2.933GT/s 包装/外壳: 288-NVDIMM

¥1,101.12139

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,101.12139

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MTA16ATF4G64HZ-3G2E1
MTA16ATF4G64HZ-3G2E1
存储类型: DDR4 SDRAM 存储容量: 32GB 速度: 3.2GT/s 包装/外壳: 260-SODIMM

¥1,317.24737

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,317.24737

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MTA18ASF4G72HZ-2G6B1
MTA18ASF4G72HZ-2G6B1
存储类型: DDR4 SDRAM 存储容量: 32GB 速度: 2.666GT/s 包装/外壳: 260-SODIMM

¥1,188.00779

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,188.00779

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MTEDDGR008MCB-1R2
MTEDDGR008MCB-1R2
MASSFLASH/CONTROLLER 257G BGA

¥2,101.54163

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,101.54163

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MTA16ATF4G64HZ-2G6E1
MTA16ATF4G64HZ-2G6E1
存储类型: DDR4 SDRAM 存储容量: 32GB 速度: 2.666GT/s 包装/外壳: 260-SODIMM

¥813.52629

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥813.52629

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MTA36ASF8G72LZ-2G9B1
MTA36ASF8G72LZ-2G9B1
存储类型: DDR4 SDRAM 存储容量: 64GB 速度: 2.933GT/s 包装/外壳: 288-LRDIMM

¥853.16893

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥853.16893

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MT16VDDT6464AY-335K1
MT16VDDT6464AY-335K1
存储类型: DDR-SDRAM 存储容量: 512MB 速度: 333MT/s 包装/外壳: 184-UDIMM

¥960.02359

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥960.02359

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MT18LSDT3272AY-133G3
MT18LSDT3272AY-133G3
存储类型: SDRAM 存储容量: 256MB 速度: 133MHz 包装/外壳: 168-UDIMM

¥655.66483

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥655.66483

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MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
MTA18ADF4G72AZ-2G6B2
存储类型: DDR4 SDRAM 存储容量: 32GB 速度: 2.666GT/s 包装/外壳: 288-UDIMM

¥1,447.89736

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,447.89736

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MT4VDDT3232UY-6K1
MT4VDDT3232UY-6K1
存储类型: DDR-SDRAM 存储容量: 128MB 速度: 333MT/s 包装/外壳: 100-UDIMM

¥1,256.41754

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,256.41754

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MTFDCAE001SAF-1D1
MTFDCAE001SAF-1D1
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 1 GB 包装/外壳: 模块

¥1,167.78164

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,167.78164

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MTSD064AHC6MS-1WT
MTSD064AHC6MS-1WT
存储类型: microSD 存储容量: 64GB 速度: 10级,UHS 1级 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度

¥173.33404

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,800.08492

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MTFDCAE001SAF-1D1IT
MTFDCAE001SAF-1D1IT
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 1 GB 包装/外壳: 模块

¥4,655.89131

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,655.89131

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MTSD064AHC6RG-1WT
MTSD064AHC6RG-1WT
存储类型: SD 存储容量: 64GB 速度: 10级,UHS 1级 技术: TLC 工作温度: -25摄氏度~85摄氏度

¥183.82480

0

5-7 工作日

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合计: ¥88,235.90496

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MTFDCAE002SAJ-1M1
MTFDCAE002SAJ-1M1
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 2GB 包装/外壳: 模块

¥831.42105

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥831.42105

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MT16HTF25664HZ-800H1
MT16HTF25664HZ-800H1
存储类型: DDR2 SDRAM 存储容量: 2GB 速度: 800MT/s 包装/外壳: 200-SODIMM

¥1,533.87361

9000

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合计: ¥1,533.87361

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