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品牌介绍

美光制造的创新内存和存储解决方案有助于推动当今最重大、最具破坏性的技术突破,如人工智能、物联网、自动驾驶汽车、个性化医疗甚至太空探索。通过开创更快、更高效的数据收集、存储和管理方式,他们正在帮助变革和改善世界交流、学习和进步的方式。在40多年的历史中,他们为行业的发展贡献了40000多项专利,是一家由34000名全球多元化团队成员组成的包容性公司,他们在18个不同的国家生活和工作。

英文全称: Micron Technology Inc.

中文全称: 镁光

英文简称: Micron

品牌地址: http://www.micron.com/

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描述
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MT9JSF12872AZ-1G4G1
MT9JSF12872AZ-1G4G1
存储类型: DDR3 SDRAM 存储容量: 1 GB 速度: 1333MT/s 包装/外壳: 240-UDIMM

¥1,005.55986

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,005.55986

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MT9JSF12872PZ-1G4G1
MT9JSF12872PZ-1G4G1
存储类型: DDR3 SDRAM 存储容量: 1 GB 速度: 1333MT/s 包装/外壳: 240-RDIMM

¥1,010.14949

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,010.14949

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MTA18ASF2G72HZ-2G6E4
MTA18ASF2G72HZ-2G6E4
存储类型: DDR4 SDRAM 存储容量: 16GB 速度: 2.666GT/s 包装/外壳: 260-SODIMM

¥1,113.90599

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,113.90599

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MTEDCBE016SAJ-1N2
MTEDCBE016SAJ-1N2
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 16GB 包装/外壳: 模块

¥7,695.20411

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,695.20411

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MTEDCBE016SAJ-1N2IT
MTEDCBE016SAJ-1N2IT
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 16GB 包装/外壳: 模块

¥947.87080

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥947.87080

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MTEDCBR002SAJ-1M2IT
MTEDCBR002SAJ-1M2IT
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 2GB 包装/外壳: 模块

¥1,346.83566

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,346.83566

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MT9JSF25672AZ-1G4D1
MT9JSF25672AZ-1G4D1
存储类型: DDR3 SDRAM 存储容量: 2GB 速度: 1333MT/s 包装/外壳: 240-UDIMM

¥885.71647

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥885.71647

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MTEDCBR004SAJ-1N2
MTEDCBR004SAJ-1N2
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 4GB 包装/外壳: 模块

¥1,418.77425

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,418.77425

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MT9JSF25672AZ-1G6M1
MT9JSF25672AZ-1G6M1
存储类型: DDR3 SDRAM 存储容量: 2GB 速度: 1600MT/s 包装/外壳: 240-UDIMM

¥850.06924

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥850.06924

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MTEDCBR004SAJ-1N2IT
MTEDCBR004SAJ-1N2IT
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 4GB 包装/外壳: 模块

¥1,160.51713

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,160.51713

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MTEDCBR008SAJ-1N2
MTEDCBR008SAJ-1N2
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 8GB 包装/外壳: 模块

¥1,091.55979

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,091.55979

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MTEDCBR008SAJ-1N2IT
MTEDCBR008SAJ-1N2IT
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 8GB 包装/外壳: 模块

¥1,972.92389

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,972.92389

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MTEDCBR016SAJ-1N2
MTEDCBR016SAJ-1N2
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 16GB 包装/外壳: 模块

¥1,086.62017

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,086.62017

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MTEDCBR016SAJ-1N2IT
MTEDCBR016SAJ-1N2IT
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 16GB 包装/外壳: 模块

¥2,023.91122

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,023.91122

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MT9LSDT1672Y-133G1
MT9LSDT1672Y-133G1
存储类型: SDRAM 存储容量: 128MB 速度: 133MHz 包装/外壳: 168-RDIMM

¥945.68065

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥945.68065

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MT9LSDT3272AY-133D2
MT9LSDT3272AY-133D2
存储类型: SDRAM 存储容量: 256MB 速度: 133MHz 包装/外壳: 168-UDIMM

¥1,821.86467

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,821.86467

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MT9VDDT6472AY-40BJ1
MT9VDDT6472AY-40BJ1
存储类型: DDR-SDRAM 存储容量: 512MB 速度: 400MT/s 包装/外壳: 184-UDIMM

¥1,337.92757

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,337.92757

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MT9VDDT6472HY-40BJ1
MT9VDDT6472HY-40BJ1
存储类型: DDR-SDRAM 存储容量: 512MB 速度: 400MT/s 包装/外壳: 200-SODIMM

¥980.03871

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥980.03871

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MT9VDDT6472PHY-335F2
MT9VDDT6472PHY-335F2
存储类型: DDR-SDRAM 存储容量: 512MB 速度: 333MT/s 包装/外壳: 200-SODIMM

¥862.75563

9000

5-7 工作日

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合计: ¥862.75563

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MTFDCAE004SAJ-1N1
MTFDCAE004SAJ-1N1
存储类型: FLASH-NAND(SLC) 存储容量: 4GB 包装/外壳: 模块

¥1,130.22326

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1,130.22326

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