Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9) | ¥24.23474 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.23474 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9) | ¥23.40905 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.40905 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13) | ¥79.55601 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.55601 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13) | ¥64.67910 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥64.67910 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-WBGA(9x13) | ¥45.73167 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.73167 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13) | ¥57.20442 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.20442 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥132.93619 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥132.93619 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥14.25403 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.25403 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13) | ¥35.17152 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.17152 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 64-LFBGA (11x13) | ¥46.35456 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.35456 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 56-TSOP | ¥44.51486 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.51486 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥104.87719 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥104.87719 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥118.62422 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥118.62422 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 84-WBGA (8x12.5) | ¥9.60409 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.60409 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x12.5) | ¥37.57617 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.57617 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-WBGA (8x12.5) | ¥98.01092 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥98.01092 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥16.23858 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.23858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-PDIP | ¥70.06782 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.06782 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥426.76615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥426.76615 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 1.65伏~1.95伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥42.38545 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.38545 | 添加到BOM 立即询价 |