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品牌介绍

Winbond Electronics Corporation是全球领先的半导体存储解决方案供应商。该公司提供由客户驱动的内存解决方案,并以产品设计、研发、制造和销售服务方面的专家能力为后盾。Winbond的产品组合由专业DRAM、移动DRAM、代码存储闪存和TrustME®安全闪存组成,广泛用于通信、消费电子、汽车和工业以及计算机外围市场的一级客户。

英文全称: Winbond Electronics

中文全称: 华邦电子

英文简称: Winbond

品牌地址: http://www.winbond.com/

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品牌型号
描述
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W25Q128FVFJP
W25Q128FVFJP
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥40.50230

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5-7 工作日

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合计: ¥40.50230

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W948D6FBHX5J
W948D6FBHX5J
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥37.34439

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合计: ¥37.34439

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W25Q128JVEJQ
W25Q128JVEJQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6)

¥150.34812

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5-7 工作日

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合计: ¥150.34812

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W25Q128JVFJQ
W25Q128JVFJQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥60.00018

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合计: ¥60.00018

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W25Q128FVFJQ
W25Q128FVFJQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 16-SOIC

¥31.23139

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合计: ¥31.23139

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W948D6FBHX6G
W948D6FBHX6G
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥6.06955

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合计: ¥6.06955

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W25Q128FVPJP
W25Q128FVPJP
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥59.26141

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合计: ¥59.26141

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W948D6FBHX6I
W948D6FBHX6I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-VFBGA (8x9)

¥96.28711

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5-7 工作日

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合计: ¥96.28711

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W25Q128FVPJQ
W25Q128FVPJQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥102.76227

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合计: ¥102.76227

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W632GU8AB-11
W632GU8AB-11
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫

¥36.43179

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合计: ¥36.43179

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W25Q128JVCJM
W25Q128JVCJM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 24-TFBGA (6x8)

¥47.99146

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5-7 工作日

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合计: ¥47.99146

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W25Q128JVPJM
W25Q128JVPJM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (6x5)

¥64.09967

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5-7 工作日

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合计: ¥64.09967

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W25Q128JVSJM
W25Q128JVSJM
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥47.18025

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5-7 工作日

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合计: ¥47.18025

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W25Q128FVSJP
W25Q128FVSJP
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥27.39265

0

5-7 工作日

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合计: ¥27.39265

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W632GU8AB-12
W632GU8AB-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz

¥486.95465

0

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合计: ¥486.95465

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W632GU8AB-15
W632GU8AB-15
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 667 MHz

¥33.99817

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合计: ¥33.99817

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W632GU8KT-12
W632GU8KT-12
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-VFBGA (8x10.5)

¥83.07606

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合计: ¥83.07606

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W25Q128FVSJQ
W25Q128FVSJQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 128Mb (16M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥55.59650

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合计: ¥55.59650

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W25Q16JVSNJQ
W25Q16JVSNJQ
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥149.43551

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合计: ¥149.43551

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W25Q16CVSNJG
W25Q16CVSNJG
存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 104兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥25.69781

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