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品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

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品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
MTZJT-776.2C
MTZJT-776.2C
标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±3% 供应商设备包装: MSD

¥1.47755

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.47755

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MTZJT-776.8B
MTZJT-776.8B
标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 500 mW 公差: ±3% 供应商设备包装: MSD

¥2.37567

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.37567

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MTZJT-776.8C
MTZJT-776.8C
标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 500 mW 公差: ±3% 供应商设备包装: MSD

¥1.82521

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.82521

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MTZJT-777.5B
MTZJT-777.5B
标称齐纳电压 (Vz): 7.5 V 最大功率: 500 mW 公差: ±3% 供应商设备包装: MSD

¥1.64462

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.64462

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MTZJT-778.2B
MTZJT-778.2B
标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±3% 供应商设备包装: MSD

¥1.29696

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.29696

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MTZJT-778.2C
MTZJT-778.2C
标称齐纳电压 (Vz): 8.2 V 最大功率: 500 mW 公差: ±3% 供应商设备包装: MSD

¥1.10092

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.10092

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MTZJT-779.1B
MTZJT-779.1B
标称齐纳电压 (Vz): 9.1 V 最大功率: 500 mW 公差: ±3% 供应商设备包装: MSD

¥2.52053

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.52053

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PTZTE2511A
PTZTE2511A
标称齐纳电压 (Vz): 11伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: PMDS

¥1.36843

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.36843

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PTZTE253.6A
PTZTE253.6A
标称齐纳电压 (Vz): 3.6伏 最大功率: 1 W 公差: ±6% 供应商设备包装: PMDS

¥1.46307

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.46307

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PTZTE253.9A
PTZTE253.9A
标称齐纳电压 (Vz): 3.9伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: PMDS

¥1.89764

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.89764

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PTZTE254.7A
PTZTE254.7A
标称齐纳电压 (Vz): 4.7伏 最大功率: 1 W 公差: ±5% 供应商设备包装: PMDS

¥1.81073

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.81073

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CDZT2RA13B
CDZT2RA13B
标称齐纳电压 (Vz): 13伏 最大功率: 100 mW 公差: ±2% 供应商设备包装: VMN2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥1.66974

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.66974

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CDZT2RA15B
CDZT2RA15B
标称齐纳电压 (Vz): 15伏 最大功率: 100 mW 公差: ±2% 供应商设备包装: VMN2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥1.49204

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.49204

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CDZT2RA5.6B
CDZT2RA5.6B
标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 100 mW 公差: ±2% 供应商设备包装: VMN2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度

¥5.21541

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.21541

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GDZTT2R14
GDZTT2R14
DIODE ZENER GMD2

¥2.07147

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.07147

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GDZT2R6.8B
GDZT2R6.8B
标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: GMD2 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.83970

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.83970

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GDZ8EPT2R6.2
GDZ8EPT2R6.2
DIODE ZENER GMD2

¥11.18304

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.18304

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GDZT2R6.2B
GDZT2R6.2B
标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 100 mW 公差: ±5.4% 供应商设备包装: GMD2 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.97779

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.97779

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EDZFJTE6112B
EDZFJTE6112B
DIODE ZENER SMD

¥1.52777

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.52777

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EDZGTE6116B
EDZGTE6116B
DIODE ZENER SMD

¥2.66539

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.66539

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