久芯网

品牌介绍

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产品。

英文全称: Rohm Semiconductor

中文全称: 罗姆

英文简称: Rohm

品牌地址: http://www.rohm.com/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
BR25040N-10SU-1.8
BR25040N-10SU-1.8
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 3兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥165.08018

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥165.08018

添加到BOM
立即询价
BR25040N-10SU-2.7
BR25040N-10SU-2.7
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (512 x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 3兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP-B

¥80.38170

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥80.38170

添加到BOM
立即询价
MSM5118160F-60J3-7
MSM5118160F-60J3-7
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥45.61578

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.61578

添加到BOM
立即询价
MSM5118160F-60T3K-MT
MSM5118160F-60T3K-MT
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏

¥28.13142

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.13142

添加到BOM
立即询价
MSM5118165F-60J3-7
MSM5118165F-60J3-7
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 42-SOJ

¥46.54288

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.54288

添加到BOM
立即询价
MSM5118165F-60T3K-MT
MSM5118165F-60T3K-MT
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 50-TSOP II

¥83.17746

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥83.17746

添加到BOM
立即询价
MSM51V17400F-60TDKX
MSM51V17400F-60TDKX
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 26-TSOP

¥38.01267

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥38.01267

立即购买
加入购物车
MSM51V17405F-60T3-K
MSM51V17405F-60T3-K
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (4M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 26-TSOP

¥35.57448

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥35.57448

立即购买
加入购物车
MSM51V18165F-60J3-7
MSM51V18165F-60J3-7
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 42-SOJ

¥61.59362

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.59362

添加到BOM
立即询价
MSM51V18165F-60T3
MSM51V18165F-60T3
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 50-TSOP

¥53.36569

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.36569

添加到BOM
立即询价
MD51V65165E-50TAZ0AR
MD51V65165E-50TAZ0AR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 50-TSOP

¥12.64610

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.64610

添加到BOM
立即询价
BR25080-10TU-1.8
BR25080-10TU-1.8
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 3兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP-B

¥470.09318

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥470.09318

添加到BOM
立即询价
BR93L56RFVJ-WE2
BR93L56RFVJ-WE2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 2Kb (128 x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP-BJ

¥32.20193

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.20193

添加到BOM
立即询价
BR93L76FJ-WE2
BR93L76FJ-WE2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (512 x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-SOP-J

¥49.86012

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.86012

添加到BOM
立即询价
BR93L66RFVT-WE2
BR93L66RFVT-WE2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 4Kb (256 x 16) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 2兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP-B

¥16.73110

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.73110

添加到BOM
立即询价
BU9890GUL-WE2
BU9890GUL-WE2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: VCSP50L1

¥5.05554

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.05554

添加到BOM
立即询价
BU99901GUZ-WE2
BU99901GUZ-WE2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 32Kb (4K x 8) 电源电压: 1.7伏~3.6伏 时钟频率: 400千赫 供应商设备包装: VCSP30L1

¥28.94263

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.94263

添加到BOM
立即询价
BR25080-10TU-2.7
BR25080-10TU-2.7
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 3兆赫 供应商设备包装: 8-TSSOP-B

¥43.71814

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.71814

添加到BOM
立即询价
BR25080N-10SU-1.8
BR25080N-10SU-1.8
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 1.8伏~5.5伏 时钟频率: 3兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥120.34803

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥120.34803

添加到BOM
立即询价
BR25080N-10SU-2.7
BR25080N-10SU-2.7
存储类型: Non-Volatile 存储格式: EEPROM 存储容量: 8Kb (1K x 8) 电源电压: 2.7伏~5.5伏 时钟频率: 3兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC

¥158.46017

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥158.46017

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部