品牌介绍
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广泛的应用特定解决方案和以解决方案为重点的销售，加上在全球25个地点的运营，包括工程、测试、制造和客户服务，使我们能够成为高容量、高增长市场的首选供应商。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥2.85370 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.85370 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SC-74R | ¥2.47643 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.47643 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SOT-563 | ¥1.21064 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.21064 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、500毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz、200MHz 供应商设备包装: SC-74R | ¥2.42240 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.42240 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.36852 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,685.19000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.36852 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,685.19000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.36852 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,685.19000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.36852 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,685.19000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.36939 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,693.88000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.36939 | 60000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,693.88000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.36939 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,693.88000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.36939 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,693.88000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.36939 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,693.88000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 270毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.40169 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,016.91000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 1个NPN，1个PNP-预偏置（双） 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 200mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-363 | ¥0.44225 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,422.51000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.22935 | 10000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.22935 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.35752 | 10000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.35752 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个PNP-预偏置 功率(Pd)：310mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.58170 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.58170 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：100mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极截止电流(Icbo)：500nA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：80@10mA,5V | ¥0.21809 | 2980 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.21809 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 暂无 | ¥0.43318 | 3000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.43318 | 立即购买 加入购物车 |