品牌介绍
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广泛的应用特定解决方案和以解决方案为重点的销售，加上在全球25个地点的运营，包括工程、测试、制造和客户服务，使我们能够成为高容量、高增长市场的首选供应商。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET BVDSS: 41V-60V TO252 T&R | ¥2.50575 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,264.38500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 430毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.79925 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,397.76200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 1.38W（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.80056 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,005.58000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、74A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta），5W（Tc） 供应商设备包装: TO-252，（D-Pak） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.42592 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,064.79750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta) 最大功耗: 670mW (Ta) 供应商设备包装: X2-DFN2015-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.82473 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82473 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 550毫安 (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type E) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.80751 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,075.11000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 660mW 供应商设备包装: X4-DSN1006-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.80751 | 40000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,075.11000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Ta) 最大功耗: 1.2W（Ta） 供应商设备包装: TSOT-23-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.81331 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,133.05000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta）、104W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.50317 | 2950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥575.15870 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta）、104W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.50317 | 3200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥575.15870 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET P-CH 20V TSOT26 | ¥0.81794 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,179.41000 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35.8A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI5060-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.45605 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,140.12250 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A（Ta） 最大功耗: 810mW 供应商设备包装: X4-DSN1006-3 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.81794 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,179.41000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Ta) 最大功耗: 960毫瓦（Ta） 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.82366 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,236.63000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta） 最大功耗: 920毫瓦 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥0.82482 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,248.21000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.1W（Ta） 供应商设备包装: SC-59-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.82823 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,484.67800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 450毫安 (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: E-Line (TO-92 compatible) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.54733 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,094.65600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.54733 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,641.98400 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.83525 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,352.51000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、40A（Tc） 最大功耗: 2.3W（Ta） 供应商设备包装: PowerDI3333-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.54733 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7,641.98400 | 添加到BOM 立即询价 |