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品牌介绍

东芝电子设备和存储公司提供了一系列支持技术解决方案,使OEM、ODM、CMs和无晶圆厂芯片公司能够为计算、网络、通信、数字消费、汽车和其他市场开发先进的集成产品。

英文全称: Toshiba Semiconductor and Storage

中文全称: 东芝

英文简称: Toshiba

品牌地址: http://www.toshiba.com/taec/

久芯自营
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品牌型号
描述
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2SD2257(CANO,A,Q)
2SD2257(CANO,A,Q)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 100伏 最大功率: 2 W 供应商设备包装: TO-220NIS

¥0.63738

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.63738

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2SA1837(PAIO,F,M)
2SA1837(PAIO,F,M)
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 230伏 最大功率: 2 W 特征频率: 70MHz 供应商设备包装: TO-220NIS

¥3.73734

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.73734

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2SA1832-GR,LF
2SA1832-GR,LF
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: SSM

¥0.73950

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥2,218.50000

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2SA1832-Y,LF
2SA1832-Y,LF
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: SSM

¥0.17093

500

2-3 工作日

- +

合计: ¥512.79600

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2SC2712-BL,LF
2SC2712-BL,LF
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: S-Mini

¥0.26487

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥794.61900

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2SA1931,Q(J
2SA1931,Q(J
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 2 W 特征频率: 60MHz 供应商设备包装: TO-220NIS

¥0.88363

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.88363

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RN1105MFV,L3F(CT
RN1105MFV,L3F(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥1.30372

20650

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2425(TE85L,F)
RN2425(TE85L,F)
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.46741

77

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.46741

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RN2316,LF
RN2316,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.30372

8970

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2406,LF
RN2406,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.30372

5820

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2309,LF
RN2309,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.30372

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN2304,LF
RN2304,LF
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SC-70

¥1.30372

5640

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.30372

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RN1101MFV,L3XHF(CT
RN1101MFV,L3XHF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥2.53502

7900

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN1410,LF
RN1410,LF
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: S-Mini

¥1.44858

17400

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.44858

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RN1105MFV,L3XHF(CT
RN1105MFV,L3XHF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥2.53502

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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RN1102MFV,L3XHF(CT
RN1102MFV,L3XHF(CT
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: VESM

¥2.53502

8000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.53502

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2SA2154CT-Y(TPL3)
2SA2154CT-Y(TPL3)
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 100 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: CST3

¥2.47852

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.47852

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2SA2154MFV-GR(TPL3
2SA2154MFV-GR(TPL3
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 150 mW 特征频率: 80MHz 供应商设备包装: VESM

¥0.97055

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥0.97055

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2SC2859-Y(TE85L,F)
2SC2859-Y(TE85L,F)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 300MHz 供应商设备包装: S-Mini

¥2.81025

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.81025

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2SC3138-Y(TE85L,F)
2SC3138-Y(TE85L,F)
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 50 mA 集电极击穿电压: 200伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: TO-236

¥2.06363

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.06363

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