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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

中文全称: 威世二极管

英文简称: Vishay General

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/semiconductors/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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数量
操作
70TPS16
70TPS16
SCR型: 标准回收率 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 75 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 70 A 供应商设备包装: 超级247(至274AA) 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度

¥144.31387

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥144.31387

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19MT050XF
19MT050XF
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A 供应商设备包装: 16-MTP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.93726

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.93726

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VS-FC420SA15
VS-FC420SA15
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400A (Tc) 最大功耗: 909W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥191.28499

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥191.28499

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VS-FC420SA10
VS-FC420SA10
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 435A (Tc) 最大功耗: 652W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥183.75237

694

5-7 工作日

- +

合计: ¥183.75237

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VS-FC270SA20
VS-FC270SA20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 287A(Tc) 最大功耗: 937W(Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥197.80360

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥197.80360

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VS-FA40SA50LC
VS-FA40SA50LC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 543W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥179.08838

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28,654.14080

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FA38SA50LC
FA38SA50LC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.59353

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.59353

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FA57SA50LC
FA57SA50LC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.32502

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.32502

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FB180SA10
FB180SA10
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 480W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥80.39619

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥80.39619

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VS-FB190SA10
VS-FB190SA10
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 190A(Tj) 最大功耗: 568W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.72141

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.72141

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VS-FA72SA50LC
VS-FA72SA50LC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A (Tc) 最大功耗: 1136W(Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥77.25277

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥77.25277

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VS-FC220SA20
VS-FC220SA20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A(Tc) 最大功耗: 789W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.10869

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.10869

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VS-FC80NA20
VS-FC80NA20
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 108A(Tc) 最大功耗: 405W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥30.02182

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.02182

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VS-GT80DA120U
VS-GT80DA120U
IGBT型: 沟槽 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 139 A 最大功率: 658 W 供应商设备包装: SOT-227

¥282.40067

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥282.40067

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VS-ETF150Y65N
VS-ETF150Y65N
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 201 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: Module

¥496.57322

8

5-7 工作日

- +

合计: ¥496.57322

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VS-ETF075Y60U
VS-ETF075Y60U
IGBT型: 沟槽 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 294 W 供应商设备包装: EMIPAK-2B

¥740.04693

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥44,402.81574

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VS-ETY020P120F
VS-ETY020P120F
IGBT MOD OUTPUT & SW EMIPAK 2B

¥1,302.63557

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥78,158.13390

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VS-S1683
VS-S1683
MODULE IGBT ECONO SWITCH

¥11,823.37303

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11,823.37303

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VS-GA250SA60S
VS-GA250SA60S
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 961瓦 供应商设备包装: SOT-227

¥351,094.55710

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥351,094.55710

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VS-GB90SA120U
VS-GB90SA120U
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 149 A 最大功率: 862 W 供应商设备包装: SOT-227

¥351,044.28086

9000

5-7 工作日

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合计: ¥351,044.28086

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