Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。
英文全称: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
中文全称: 威世二极管
英文简称: Vishay General
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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SCR型: 标准回收率 断态电压: 1.6千伏 最大通态方均根电流 (It (RMS)): 75 A 最大通态平均电流 (It (AV)): 70 A 供应商设备包装: 超级247(至274AA) 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 | ¥144.31387 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥144.31387 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A 供应商设备包装: 16-MTP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.93726 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.93726 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400A (Tc) 最大功耗: 909W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥191.28499 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥191.28499 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 435A (Tc) 最大功耗: 652W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥183.75237 | 694 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥183.75237 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 287A(Tc) 最大功耗: 937W(Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥197.80360 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥197.80360 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 543W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥179.08838 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,654.14080 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥31.59353 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.59353 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 625W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.32502 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.32502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A(Tc) 最大功耗: 480W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥80.39619 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.39619 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 190A(Tj) 最大功耗: 568W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.72141 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.72141 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A (Tc) 最大功耗: 1136W(Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥77.25277 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.25277 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A(Tc) 最大功耗: 789W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.10869 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.10869 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 108A(Tc) 最大功耗: 405W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥30.02182 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.02182 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 139 A 最大功率: 658 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥282.40067 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥282.40067 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 半桥逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 201 A 最大功率: 600 W 供应商设备包装: Module | ¥496.57322 | 8 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥496.57322 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 参数配置: 三电平逆变器 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 294 W 供应商设备包装: EMIPAK-2B | ¥740.04693 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44,402.81574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT MOD OUTPUT & SW EMIPAK 2B | ¥1,302.63557 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78,158.13390 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MODULE IGBT ECONO SWITCH | ¥11,823.37303 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11,823.37303 | 添加到BOM 立即询价 | ||
参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 400 A 最大功率: 961瓦 供应商设备包装: SOT-227 | ¥351,094.55710 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥351,094.55710 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 149 A 最大功率: 862 W 供应商设备包装: SOT-227 | ¥351,044.28086 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥351,044.28086 | 添加到BOM 立即询价 |