品牌介绍
Alpha and Omega Semiconductor，Inc.（简称AOS）是一家设计、开发和全球供应各种功率半导体的公司，包括一系列功率MOSFET和功率IC产品。AOS通过整合其在设备物理、工艺技术、设计和先进封装方面的专业知识来优化产品性能和成本，力求与众不同，其产品组合旨在满足高容量应用中不断增长的能效要求，包括便携式计算机、平板电视、电池组、，便携式媒体播放器和电源。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 30 A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 22 PowerVFQFN模块 | ¥13.18208 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.18208 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 60 A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 31-PowerVFQFN Module | ¥9.29035 | 6000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.29035 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 50 A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 31-PowerVFQFN Module | ¥6.33392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,001.74800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 25V/35A DRMOS QFN | ¥6.86627 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,598.80700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 50 A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 31-PowerVFQFN Module | ¥7.22479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,674.37900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 50 A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 31-PowerVFQFN Module | ¥8.87617 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26,628.52200 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 10A 电压: 600 V 隔离电压: 2000伏 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 23 PowerDIP模块（0.748“，19.00毫米） | ¥69.05758 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,215.18238 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 35A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 24 PowerTFQFN模块 | ¥1,105.58773 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,105.58773 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 60 A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 31-PowerVFQFN Module | ¥18.03482 | 6514 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.03482 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.76631 | 137478 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 | 38398 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.35975 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 1678 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.15647 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 | 1980 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.12845 | 23805 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.12845 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道，公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 5.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.33173 | 29889 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33173 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.14246 | 5235 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.14246 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥8.54662 | 65 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.54662 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.12605 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.12605 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 4-AlphaDFN (0.97x0.97) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.47659 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.47659 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.09899 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.09899 | 立即购买 加入购物车 |