品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.71997 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.71997 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 供应商设备包装: SC-88 | ¥28.14591 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.14591 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安, 250毫安 供应商设备包装: SC-88 | ¥8.67699 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.67699 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.1A（Ta） 供应商设备包装: 4-WLCSP (1.82x1.82) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.89620 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.89620 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | SMALL SIGNAL MOSFET | ¥6.15647 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.15647 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-PSOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥9.05363 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.92363 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 供应商设备包装: 6-EFLIP-LGA 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥14.97832 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.97832 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET | ¥1.52101 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET | ¥6.31581 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.31581 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | TRANSISTOR | ¥9.45923 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.45923 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | TRANSISTOR | ¥60.52167 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.52167 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.8V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta） 供应商设备包装: SC-95 工作温度: 150摄氏度 | ¥24.66932 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.66932 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门，1.8V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 供应商设备包装: SC-95 工作温度: 150摄氏度 | ¥17.42642 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.42642 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH DUAL LGA | ¥7.63402 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.63402 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 供应商设备包装: 4-EFLIP-LGA (1.62x1.62) 工作温度: 150摄氏度 | ¥15.02178 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.02178 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 4-EFLIP-LGA (1.4x1.4) 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.79480 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.79480 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH DUAL LGA | ¥7.64850 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.64850 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门，2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 供应商设备包装: 4-EFLIP-LGA (1.11x1.11) 工作温度: 150摄氏度 | ¥15.60121 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.60121 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH DUAL LGA | ¥3.52005 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.52005 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH DUAL LGA | ¥6.62001 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.62001 | 添加到BOM 立即询价 |