品牌介绍
ISSI （芯成半导体有限公司）是Integrated Silicon Solution, Inc. 缩写。1988年成立，专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品，用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头，如3Com, Alcatel, Cisco, Ericsson, Hewlett Packard, IBM, Lexmark, Motorola, Nokia, Seagate等公司。ISSI是国际化大公司，公司总部设在美国加州Santa Clara，在美国、欧洲拥有分公司，在台湾有合资企业，在中国香港设有子公司，销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI 用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，台湾的TSMC、UMC、新加坡的Chartered Semiconductor都是它的合作伙伴。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥8.95405 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,954.05000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥65.49488 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥163,737.19750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥42.72091 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14,866.87529 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥65.51590 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥65,515.89800 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥68.78434 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥68,784.33700 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (4M x 32) 电源电压: 2.4伏~2.6伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 144-LFBGA (12x12) | ¥40.24068 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,605.48776 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥25.47490 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,865.26590 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥42.72091 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14,866.87529 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥30.00447 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥30,004.47400 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥101.43719 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥253,592.97750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 48-TFBGA (8x10) | ¥69.33083 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥173,327.07000 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TW-BGA (8x13) | ¥101.43719 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥253,592.97750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥24.56067 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9,333.05612 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP | ¥41.84151 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥10,544.06027 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥28.32296 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,797.51088 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥39.09428 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8,170.70389 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥67.83849 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥101,757.72900 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥19.96795 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥6,469.61612 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥20.14661 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7,011.02098 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥25.85324 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥64,633.10500 | 立即购买 加入购物车 |