Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。
英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc
中文全称: IDT公司
英文简称: IDT
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,717.87102 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥320.28104 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,087.01443 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,213.18575 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,543.17227 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥24.11886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.11886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥24.11886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,808.91427 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥24.11886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥192.95086 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥24.11886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,784.79542 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥10.64706 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,139.23574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15) | ¥24.11886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥385.90171 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥11.58864 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥996.62304 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥11.58864 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥718.49568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥11.58864 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥788.02752 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥11.58864 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,587.64368 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) | ¥12.02321 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,130.18212 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14) | ¥12.02321 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥745.43927 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ | ¥12.02321 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥384.74285 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II | ¥8.03962 | 846 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥9.70549 | 1709 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 |