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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

久芯自营
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品牌型号
描述
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71124S15Y
71124S15Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥9.70549

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,717.87102

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71124S12Y
71124S12Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥9.70549

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥320.28104

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7164S20Y
7164S20Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥9.70549

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5-7 工作日

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合计: ¥1,087.01443

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7164S35YGI
7164S35YGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-SOJ

¥9.70549

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,213.18575

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71T016SA15PHGI
71T016SA15PHGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥9.70549

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,543.17227

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71V35761S166BGGI
71V35761S166BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥24.11886

0

5-7 工作日

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合计: ¥24.11886

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71V35761S166BGI
71V35761S166BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥24.11886

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,808.91427

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71V35761S200BGG
71V35761S200BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥24.11886

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥192.95086

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71V35761S200BGGI
71V35761S200BGGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥24.11886

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,784.79542

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71V124SA12PH
71V124SA12PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥10.64706

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,139.23574

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71V3556S133BQ
71V3556S133BQ
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥24.11886

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合计: ¥385.90171

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71V124SA15Y
71V124SA15Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥11.58864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥996.62304

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71V124SA10Y
71V124SA10Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥11.58864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥718.49568

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71V124SA10TY
71V124SA10TY
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-SOJ

¥11.58864

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥788.02752

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71V124SA12Y
71V124SA12Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥11.58864

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,587.64368

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71V632S6PFG
71V632S6PFG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 时钟频率: 83 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥12.02321

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5-7 工作日

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合计: ¥1,130.18212

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71V432S7PF
71V432S7PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (32K x 32) 电源电压: 3.135V ~ 3.63V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥12.02321

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合计: ¥745.43927

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71V124SA12TYI
71V124SA12TYI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOJ

¥12.02321

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥384.74285

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71V124SA10PH
71V124SA10PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 32-TSOP II

¥8.03962

846

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- +

合计: ¥2,170.69713

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71016NS15PHG
71016NS15PHG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥9.70549

1709

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合计: ¥2,174.02886

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