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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: IDT, Integrated Device Technology Inc

中文全称: IDT公司

英文简称: IDT

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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71V416S15PH
71V416S15PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.55823

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,353.91530

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71V416VS10PH
71V416VS10PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.55823

0

5-7 工作日

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合计: ¥989.95957

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71V416L10PH
71V416L10PH
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.55823

0

5-7 工作日

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合计: ¥757.02791

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71V3576S150PF
71V3576S150PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

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合计: ¥771.58614

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71V3577S80PF
71V3577S80PF
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP(14x14)

¥14.55823

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,048.19249

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71V416S15PHI
71V416S15PHI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥14.55823

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5-7 工作日

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合计: ¥946.28489

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71V416S15Y
71V416S15Y
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥14.55823

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,703.31279

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71V416L15YG
71V416L15YG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-SOJ

¥14.55823

159

5-7 工作日

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合计: ¥2,314.75841

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7164S20DB
7164S20DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 64Kb (8K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥130.95163

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,702.37122

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71V3557S75BGG
71V3557S75BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥39.54623

0

5-7 工作日

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合计: ¥197.73117

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71256S55DB
71256S55DB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥144.85800

0

5-7 工作日

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合计: ¥724.29000

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71V3559S85BQG
71V3559S85BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥39.54623

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合计: ¥830.47091

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71V3558SA166BQG
71V3558SA166BQG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 165-CABGA (13x15)

¥39.54623

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5-7 工作日

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合计: ¥672.28598

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71256S70TDB
71256S70TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥154.49106

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5-7 工作日

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合计: ¥772.45529

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71256L25TDB
71256L25TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥154.49106

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,081.43740

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71256S85TDB
71256S85TDB
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-CDIP

¥154.49106

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,699.40163

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71T75602S133BGI
71T75602S133BGI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥171.36701

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合计: ¥1,028.20208

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71V35761SA166BGG
71V35761SA166BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥41.06724

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5-7 工作日

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合计: ¥41.06724

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71T75602S166BGG
71T75602S166BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥173.32260

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合计: ¥1,906.54857

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71T75902S75BGG
71T75902S75BGG
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥180.63793

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合计: ¥722.55170

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