品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-TSSOP | ¥80.39619 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥80.39619 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x13) | ¥266.66909 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥266.66909 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥54.95913 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.95913 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 125兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥37.02571 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.02571 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥38.59017 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.59017 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 512Kb (64K x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥29.75383 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.75383 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥67.43140 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥67.43140 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥28.50805 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.50805 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-WSON (6x5) | ¥109.87479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥109.87479 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥47.46997 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.46997 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥69.44493 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.44493 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 2Mb (256K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-VVSOP | ¥54.85773 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.85773 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥78.73032 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.73032 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥15.41289 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.41289 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏～1.95伏 时钟频率: 80 MHz 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥46.32559 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.32559 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥96.17123 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥96.17123 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥60.94176 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.94176 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥53.23323 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.23323 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥74.31215 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.31215 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥10.69052 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.69052 | 添加到BOM 立即询价 |