品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥55.27781 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.27781 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 40-TSOP | ¥40.45884 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.45884 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥41.61770 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.61770 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥206.59648 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥206.59648 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥13.05171 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.05171 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 40-TSOP | ¥159.89426 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥159.89426 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 40-TSOP | ¥20.06283 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.06283 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥10.14006 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.14006 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 40-TSOP | ¥53.23532 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.23532 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥61.40531 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.40531 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥43.21114 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.21114 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥9.09708 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.09708 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥33.65051 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.65051 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥58.69646 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.69646 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥21.91702 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.91702 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥33.37528 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.37528 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (32M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12) | ¥18.49837 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.49837 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥69.93744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.93744 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 128Mb (8M x 16) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8) | ¥211.49268 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥211.49268 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-WBGA (8x13) | ¥411.61401 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥411.61401 | 添加到BOM 立即询价 |