Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥85.25198 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,197.87525 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥92.34698 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73,877.58000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13) | ¥52.48662 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78,729.92400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥92.34698 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73,877.58000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥92.34698 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥184,693.95000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I | ¥141.99126 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥212,986.89000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥92.34698 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73,877.58000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥85.50244 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥171,004.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20) | ¥174.34971 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,553.17934 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5) | ¥52.58345 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥105,166.90800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥142.32299 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥213,484.47750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥92.34698 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥230,867.43750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TW-BGA (8x13) | ¥110.64435 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26,554.64424 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥55.69073 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,477.15690 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥64.45877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,282.06259 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22) | ¥64.45891 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,445.89130 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13) | ¥42.29513 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,036.07508 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥92.50994 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,991.07352 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥110.70773 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥276,769.31750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥64.50556 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30,962.66736 | 添加到BOM 立即询价 |