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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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品牌型号
描述
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IS46R16320D-6BLA2
IS46R16320D-6BLA2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥85.25198

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合计: ¥16,197.87525

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IS61NVP25636A-200TQLI-TR
IS61NVP25636A-200TQLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥92.34698

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合计: ¥73,877.58000

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IS43TR16128DL-107MBLI-TR
IS43TR16128DL-107MBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥52.48662

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合计: ¥78,729.92400

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IS61VPS25636A-200TQLI-TR
IS61VPS25636A-200TQLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.375伏~2.625伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥92.34698

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5-7 工作日

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合计: ¥73,877.58000

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IS61WV10248BLL-10MLI-TR
IS61WV10248BLL-10MLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11)

¥92.34698

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5-7 工作日

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合计: ¥184,693.95000

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IS62WV102416ALL-35TLI-TR
IS62WV102416ALL-35TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-TSOP I

¥141.99126

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合计: ¥212,986.89000

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IS61LPD25636A-200TQLI-TR
IS61LPD25636A-200TQLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥92.34698

0

5-7 工作日

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合计: ¥73,877.58000

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IS43TR85120BL-125KBLI-TR
IS43TR85120BL-125KBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5)

¥85.50244

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5-7 工作日

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合计: ¥171,004.87000

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IS64LPS25636A-166TQLA3
IS64LPS25636A-166TQLA3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP(14x20)

¥174.34971

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合计: ¥12,553.17934

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IS43DR81280B-3DBLI-TR
IS43DR81280B-3DBLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥52.58345

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5-7 工作日

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合计: ¥105,166.90800

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IS45S16320D-7CTLA1-TR
IS45S16320D-7CTLA1-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥142.32299

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合计: ¥213,484.47750

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IS42S32160D-7BL-TR
IS42S32160D-7BL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥92.34698

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合计: ¥230,867.43750

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IS42S16320D-6BLI
IS42S16320D-6BLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TW-BGA (8x13)

¥110.64435

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5-7 工作日

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合计: ¥26,554.64424

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IS43TR82560C-15HBL
IS43TR82560C-15HBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5)

¥55.69073

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合计: ¥13,477.15690

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IS61NLP12836EC-200B3LI
IS61NLP12836EC-200B3LI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15)

¥64.45877

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合计: ¥9,282.06259

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IS61WV12824-8BL-TR
IS61WV12824-8BL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 3Mb (128K x 24) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 119-PBGA(14x22)

¥64.45891

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5-7 工作日

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合计: ¥6,445.89130

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IS46R16160F-6BLA1
IS46R16160F-6BLA1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥42.29513

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5-7 工作日

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合计: ¥8,036.07508

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IS42S16320D-6TL
IS42S16320D-6TL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥92.50994

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合计: ¥9,991.07352

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IS42S32160D-7BLI-TR
IS42S32160D-7BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)

¥110.70773

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5-7 工作日

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合计: ¥276,769.31750

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IS62WV20488EBLL-45BLI
IS62WV20488EBLL-45BLI
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥64.50556

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合计: ¥30,962.66736

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