品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥31.42578 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78,564.46000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥78.28771 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,455.07257 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 117兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥118.47472 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,060.36011 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥112.90124 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16,257.77842 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥145.45757 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,709.41724 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥60.70608 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,741.67509 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-PBGA (13x15) | ¥145.58229 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥291,164.58000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥60.70608 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,741.67509 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5) | ¥78.33196 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥156,663.92800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 8Gb (512M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-LFBGA（10x14） | ¥145.69093 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥291,381.86800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 36-SOJ | ¥25.51029 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,785.73741 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥60.70608 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,741.67509 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥78.33196 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥117,497.94600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (256K x 32) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥86.91480 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥217,287.00000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~2.2伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥157.53308 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥315,066.15000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.3伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 8-WSON (8x6) | ¥6.42684 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25,707.36800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-TFBGA (13x15) | ¥146.25124 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,060.17914 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (64M x 32) 电源电压: 1.14伏～1.95伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 168-VFBGA (12x12) | ¥72.57386 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥108,860.78700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥72.57386 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥108,860.78700 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥188.49647 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥376,992.94600 | 添加到BOM 立即询价 |