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品牌介绍

Integrated Silicon Solution,Inc.(ISSI)是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者:(i)汽车,(ii)通信,(iii)数字消费品,以及(iv)工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场,并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品,包括低密度和小容量产品,即使在制造能力紧张的时期也是如此。

英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

中文全称: 芯成

英文简称: ISSI

品牌地址: http://www.issi.com/index.html

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品牌型号
描述
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IS43DR86400C-3DBL-TR
IS43DR86400C-3DBL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 60-TWBGA (8x10.5)

¥28.45243

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5-7 工作日

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合计: ¥56,904.85800

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IS65C256AL-25TLA3
IS65C256AL-25TLA3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥20.16655

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,437.94587

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IS65LV256AL-45TLA3
IS65LV256AL-45TLA3
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 28-TSOP I

¥20.16655

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9,437.94587

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IS43LD16128B-25BL
IS43LD16128B-25BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.95伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 134-TFBGA (10x11.5)

¥72.66237

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5-7 工作日

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合计: ¥12,425.26459

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IS45S16320D-6CTLA1-TR
IS45S16320D-6CTLA1-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥149.49346

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合计: ¥224,240.18400

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IS46DR16320C-3DBLA2-TR
IS46DR16320C-3DBLA2-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)

¥68.98862

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合计: ¥172,471.55750

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IS45S16320F-7CTLA1-TR
IS45S16320F-7CTLA1-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥100.92981

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合计: ¥151,394.71800

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IS43R16160F-5BL
IS43R16160F-5BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥31.72926

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5-7 工作日

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合计: ¥12,057.11956

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IS43R16320E-6TLI-TR
IS43R16320E-6TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II

¥46.09114

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5-7 工作日

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合计: ¥69,136.70400

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IS43R16320D-6BLI-TR
IS43R16320D-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥61.27493

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5-7 工作日

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合计: ¥153,187.33500

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IS46TR16256B-125KBLA1
IS46TR16256B-125KBLA1
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥93.54698

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合计: ¥17,773.92601

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IS46R16320E-5BLA1-TR
IS46R16320E-5BLA1-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥56.27733

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5-7 工作日

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合计: ¥84,415.99950

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IS42S16320D-6BL
IS42S16320D-6BL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TW-BGA (8x13)

¥93.61571

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5-7 工作日

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合计: ¥22,467.77136

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IS43TR81280B-107MBL
IS43TR81280B-107MBL
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5)

¥43.15182

0

5-7 工作日

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合计: ¥10,442.74092

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IS43TR81280BL-125KBLI
IS43TR81280BL-125KBLI
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb(128M x 8) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5)

¥43.15182

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,442.74092

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IS43R86400D-6BLI-TR
IS43R86400D-6BLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (64M x 8) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x13)

¥61.27493

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥153,187.33500

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IS46TR16256BL-107MBLA2
IS46TR16256BL-107MBLA2
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V~1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA(9x13)

¥114.85979

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合计: ¥21,823.36029

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IS42S16320D-6TL-TR
IS42S16320D-6TL-TR
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II

¥87.67531

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合计: ¥131,512.95750

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IS64WV25616BLL-10BLA3-TR
IS64WV25616BLL-10BLA3-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)

¥61.28363

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5-7 工作日

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合计: ¥153,209.06250

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IS62C10248AL-55TLI-TR
IS62C10248AL-55TLI-TR
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 44-TSOP II

¥69.29065

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合计: ¥69,290.65100

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