品牌介绍
Integrated Silicon Solution，Inc.（ISSI）是为以下主要市场设计、开发和销售高性能集成电路的技术领导者：（i）汽车，（ii）通信，（iii）数字消费品，以及（iv）工业和医疗。他们的主要产品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。该公司还设计和销售NOR闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。他们以高性价比、高质量的半导体产品瞄准高增长市场，并寻求与客户建立长期关系。他们一直致力于长期提供内存产品，包括低密度和小容量产品，即使在制造能力紧张的时期也是如此。
英文全称: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
中文全称: 芯成
英文简称: ISSI
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥38.02523 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95,063.06250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 1.65伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥134.17472 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥268,349.44600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥32.05121 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8,653.82643 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-miniBGA (9x11) | ¥134.17472 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥268,349.44600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (128M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥95.06306 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥237,657.65750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-VFBGA (6x8) | ¥56.99380 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥142,484.50250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 60-TFBGA (8x10) | ¥43.25221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,975.66270 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 32) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥79.85297 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63,882.37840 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥56.99380 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥142,484.50250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5) | ¥73.95139 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,455.83947 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥74.06865 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17,776.47552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (256M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥95.15990 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18,080.38100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 2Gb (256M x 8) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (8x10.5) | ¥57.03784 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥114,075.67600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 4Gb (512M x 8) 电源电压: 1.425伏~ 1.575伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 78-TWBGA (9x10.5) | ¥95.19394 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥142,790.91300 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.283V～1.45V 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 96-TWBGA（9x13） | ¥32.12849 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48,192.73500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (8M x 32) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 143兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13) | ¥57.13866 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13,713.27816 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (1M x 8) 电源电压: 2.4伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II | ¥74.30093 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74,300.92800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8) | ¥26.08139 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65,203.48250 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (64K x 32) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-LQFP（14x20） | ¥43.36136 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,244.03570 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (32M x 16) 电源电压: 1.7伏～1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x13) | ¥74.42080 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥186,051.99500 | 添加到BOM 立即询价 |