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品牌介绍

乐山无线电—菲尼克斯半导体有限公司,是乐山无线电股份有限公司于1995年与全球著名电子企业摩托罗拉公司在中国的首家合资企业。一九九九年,合资公司的股权转为由美国安森美半导体公司即独立上市的原摩托罗拉半导体元件部和乐山无线电股份有限公司共同持有。 乐山――菲尼克斯半导体有限公司总投资已超过2.3亿美元,已建成SOT系列、SC系列、SOD系列等新型表面贴装器件生产线,产能达280亿只。产品主要应用于电子及电器设备、汽车行业、通讯系统、宽带数据技术、电脑和家用电器等。公司正在向产品的小型化、集成化加速发展。公司现生产周期平均为1.2天,达到世界先进水平;品质达到并超过六个西格玛标准;市场需求量超越产量,达到零库存目标;超越中国及世界卫生组织鉴定的环保标准。

英文全称: LRC

中文全称: 乐山无线电

英文简称: LRC

品牌地址: http://www.lrc.cn/

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描述
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LBC856BLT1G
LBC856BLT1G
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V

¥0.09254

18400

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09254

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LBC807-40LT1G
LBC807-40LT1G
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@100mA,1V

¥0.08185

20880

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.08185

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LMBTA06LT1G
LMBTA06LT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):80V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V

¥0.15473

4600

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.15473

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LMBT3946DW1T1G
LMBT3946DW1T1G
晶体管类型:1个NPN和1个PNP 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V

¥0.11734

870

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.11734

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LMBT3904WT1G
LMBT3904WT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V

¥0.06374

11369

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06374

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LBC847BLT1G
LBC847BLT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V

¥0.06881

6470

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.06881

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LMBT4401WT1G
LMBT4401WT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA

¥0.12549

11860

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12549

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LMBT3904TT1G
LMBT3904TT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V

¥0.10357

900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10357

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LMBT3904N3T5G
LMBT3904N3T5G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA

¥0.24039

10080

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.24039

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L8050HRLT1G
L8050HRLT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW

¥0.07315

4745

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07315

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LBC846BPDW1T1G
LBC846BPDW1T1G
晶体管类型:1个NPN和1个PNP 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):380mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V

¥0.13110

14990

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13110

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LMBTA42LT1G
LMBTA42LT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):50mA 功率(Pd):225mW

¥0.13037

2178

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.13037

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L9014QLT1G
L9014QLT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):225mW

¥0.09615

6050

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09615

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L2SC2412KRLT1G
L2SC2412KRLT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):200mW

¥0.07750

2824

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.07750

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LMBTA05LT1G
LMBTA05LT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V

¥0.16643

9120

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.16643

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LMBT2222ATT1G
LMBT2222ATT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):150mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):40@500mA,10V

¥0.09271

440

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.09271

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LMBTA92LT1G
LMBTA92LT1G
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):50mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@30mA,10V

¥0.14681

5900

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.14681

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LBC857BDW1T1G
LBC857BDW1T1G
晶体管类型:2个PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):380mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):290@2mA,5V

¥0.18346

4740

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.18346

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L9012RLT1G
L9012RLT1G
晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):20V 集电极电流(Ic):500mA 功率(Pd):225mW

¥0.12719

5040

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.12719

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LBC846ALT1G
LBC846ALT1G
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):65V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):225mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):180@2mA,5V

¥0.10597

3550

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.10597

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