9icnet为您提供由Sullins连接器解决方案公司设计和生产的RMC36DRES-S93，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。RMC36DDRES-S93参考价格为13.64100美元。Sullins连接器解决方案RMC36DRES-S93包装/规格：CONN EDGE DUAL FMALE 72POS 0.100。您可以下载RMC36DRES-S93英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSC340N08NS3GATMA1是MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了零件别名，用于BSC340N08NS3 BSC340N08NS3GXT G SP000447534，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及8-PowerTDFN封装盒，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商设备包为PG-TDSON-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为32W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为80V，输入电容Ciss Vds为756pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7A（Ta），23A（Tc），Rds On Max Id Vgs为34mOhm@12A，10V，Vgs th Max Id为3.5V@12μA，栅极电荷Qg Vgs为9.1nC@10V，Pd功耗为32W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为23 A，Vds漏极-源极击穿电压为80 V，Vgs栅-源极阈值电压为2.8 V，Rds漏极源极电阻为34 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为6.8nC，正向跨导Min为16S，信道模式为增强。
BSC360N15NS3 G是MOSFET N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于150 V，提供典型的开启延迟时间特性，如9 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术提供，该器件具有OptiMOS 3系列，上升时间为6 ns，漏极源极电阻Rds为36 mOhms，Qg栅极电荷为12 nC，Pd功耗为74 W，部件别名为BSC360N15NS3GATMA1 BSC360N15 NS3GXT SP000778134，包装为卷筒，包装盒为TDSON-8，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为33 A，下降时间为4 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
BSC340N08NS3G，带有INFINEON制造的电路图。BSC340N08NS3G采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
BSC360N15NS3G，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BSC360N15NS3G采用TDSON-8封装，是IC芯片的一部分。
