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BSC520N15NS3 G是MOSFET N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于BSC520N15 NS3GATMA1 BSC520N15NS3GXT SP000521716，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为57 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为21A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为52mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为10ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为8.7nC，正向跨导Min为21S11S。
BSC520N15NS3G是MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8，包括4V@35μA Vgs th Max Id，它们设计为与PG-TDSON-8供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于OptiMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如52 mOhm@18A，10V，Power Max设计为工作在57W，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作8-PowerTDFN封装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有890pF@75V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为12nC@110V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为150V，电流连续漏极Id为25°C为21A（Tc）。
BSC520N15NS，电路图由FEELING制造。BSC520N15NS采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
具有FEELING制造的EDA/CAD模型的BSC52N03S。BSC52N03S采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
