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AD704-02E

  • 描述:技术: 霍尔效应 功能: 全向开关 电源电压: 4.5伏~30伏 最大供电电流: 4.5毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 品牌: NVE 公司 (NVE)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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数量 单价 合计
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 技术 霍尔效应
  • 最大输出电流 20毫安
  • 输出类别 集电极开路
  • 安装类别 表面安装
  • 功能 全向开关
  • 极化 北极,南极
  • 最大供电电流 4.5毫安
  • 特点 -
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 制造厂商 NVE 公司 (NVE)
  • 传感范围 ±2.5mT Trip, ±1.1mT Release
  • 试验条件 -40摄氏度~125摄氏度
  • 电源电压 4.5伏~30伏
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)

AD704-02E 产品详情

Because it has only 1/20 the input bias current of an OP07, the AD7040P does not require the commonly used balancing resistor. Furthermore, the current noise is 1/5 that of the OP07, which makes the AD7040P usable with much higher source impedances. At 1/6 the supply current (per amplifier) of the OP07, the AD7040P is better suited for today’s higher density circuit boards and battery-powered applications.

The AD7040P is an excellent choice for use in low frequency active filters in 12- and 14-bit data acquisition systems, in precision instrumentation, and as a high quality integrator. The AD7040P is internally compensated for unity gain stability. The AD704J is rated over the commercial temperature range of 0°C to 70°C. The AD704A is rated over the industrial temperature of −40°C to +85°C. The AD704S is rated over the military temperature range of −55°C to +125°C, processed to MIL-STD-883B.

Feature

  • High dc precision 150 μV maximum offset voltage1.5 μV/°C maximum offset voltage drift270 pA maximum input bias current0.3 pA/°C typical IB drift
  • Low noise: 0.5 μV p-p
  • Typical noise: 0.1 Hz to 10 Hz
  • Low power: 600 μA maximum supply current per amplifier
  • Dual version:

Applications

  • Industrial/process controls
  • Weigh scales
  • ECG/EKG instrumentation
  • Low frequency active filters


(Picture: Pinout)

AD704-02E所属分类:固态开关,AD704-02E 由 NVE 公司 (NVE) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AD704-02E价格参考¥13.747386,你可以下载 AD704-02E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AD704-02E规格参数、现货库存、封装信息等信息!

NVE 公司 (NVE)

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NVE是一家电子元件制造商,专门从事磁敏感材料与集成电路的结合。这种新型固态磁技术的特点是对磁场的高灵敏度、体积小、功耗低。NVE已将这些技术应用于磁传感器、隔离器和磁阻随机存取存储器(MRAM)。这些...

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