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1N4003-TP是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1N40系列，它们设计用于与标准回收整流器产品一起操作，包装如数据表注释所示，用于切割带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-41，该设备以单一配置提供，该设备的标准恢复>500ns，>200mA（Io）的速度，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压DC反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最高工作温度范围为+150 C，其最低工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.0 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为2us。
1N4003T-G是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压DC反向Vr Max下运行，数据表注释中显示了用于DO-41的供应商设备包，它提供了速度功能，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），系列设计为在1N4003中工作，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备提供通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在4V、1MHz时为15pF。
1N4003W A3带电路图1N4003V A3有SOD-123FL封装，是IC芯片的一部分。
1N4004，带有DIODE制造的EDA/CAD模型。1N4004采用SMAF封装，是IC芯片、二极管标准400V 1A通孔DO-41、二极管400V 1A 2引脚DO-41和整流器Vr/400V Io/1A T/R的一部分。
