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带有引脚细节的RCX050N25，包括RCX050N2 5系列，它们设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装风格功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-3，以及硅技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，配置为单一，该器件以1 N沟道晶体管类型提供，该器件具有30W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间是12ns，上升时间是18ns，Vgs栅极-源极电压是30V，Id连续漏极电流是5A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为850mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型导通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为9nC，正向跨导最小值为1.2S，沟道模式为增强。
RCX100N25是MOSFET Nch 250V 10A MOSFET，包括250 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.211644 oz的单位重量运行，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术功能，系列设计为在RCX100N2 5中工作，以及320 mOhms Rds漏源电阻，该器件也可以用作40W Pd功率耗散。此外，包装是散装的，该设备以TO-220-3封装盒提供，该设备有一个安装式通孔，其最高工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为10 a。
RCX080N25带有电路图，其中包括1个通道数的通道，它们被设计为与批量封装一起工作，数据表注释中显示了系列，用于RCX080N2 5，它提供了Si等技术功能，晶体管极性被设计为在N通道中工作，以及1个N通道晶体管类型。
